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1. (WO2015119001) SILICON OXYNITRIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING SAME AND TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/119001    International Application No.:    PCT/JP2015/052244
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 28.01.2015
IPC:
H01L 21/473 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/471 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: UMEDA Kenichi; (JP).
TANAKA Atsushi; (JP).
SUZUKI Masayuki; (JP).
SHIMODA Tatsuya; (JP).
INOUE Satoshi; (JP)
Agent: WATANABE Mochitoshi; (JP)
Priority Data:
2014-021476 06.02.2014 JP
Title (EN) SILICON OXYNITRIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING SAME AND TRANSISTOR
(FR) FILM D'OXYNITRURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ ET TRANSISTOR
(JA) シリコンオキシナイトライド膜およびその製造方法、トランジスタ
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides: a silicon oxynitride film which has excellent insulation characteristics and is suitable for use as a gate insulating film of a transistor; a method for producing this silicon oxynitride film; and a transistor. A silicon oxynitride film according to the present invention is produced using a silazane compound, and the ratio of the absorption intensity ascribed to Si-N bonds (ISi-N) to the absorption intensity ascribed to Si-O bonds (ISi-O) in the absorption spectrum thereof as obtained by FT-IR measurement, namely (ISi-N/ISi-O) is 1.00 or more.
(FR)La présente invention concerne un film d'oxynitrure de silicium qui possède d'excellentes caractéristiques d'isolation et est approprié pour l'utilisation en tant que film isolant de grille d'un transistor ; un procédé de production de ce film d'oxynitrure de silicium ; et un transistor. Un film d'oxynitrure de silicium selon la présente invention est produit en utilisant un composé silazane, et le rapport de l'intensité d'absorption attribuée à des liaisons Si-N (ISi-N) par rapport à l'intensité d'absorption attribuée à des liaisons Si-O (ISi-O) dans leur spectre d'absorption, tel qu'il est obtenu par mesure FT-IR, à savoir (ISi-N/ISi-O), est 1,00 ou plus.
(JA) 本発明は、絶縁特性に優れ、トランジスタのゲート絶縁膜として好適に使用できるシリコンオキシナイトライド膜およびその製造方法、並びに、トランジスタを提供する。本発明のシリコンオキシナイトライド膜は、シラザン化合物を用いて作製されたシリコンオキシナイトライド膜であって、FT-IR測定で得られる吸収スペクトルにおける、Si-N結合由来の吸収強度(ISi-N)と、Si-O結合由来の吸収強度(ISi-O)との比(ISi-N/ISi-O)が1.00以上である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)