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1. (WO2015118884) CHARGE MODULATION ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/118884    International Application No.:    PCT/JP2015/000559
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 06.02.2015
IPC:
G01S 7/486 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIZUOKA UNIVERSITY [JP/JP]; 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529 (JP)
Inventors: KAWAHITO, Shoji; (JP).
YASUTOMI, Keita; (JP).
HAN, Sangman; (JP)
Agent: SUZUKI, Sohbe; (JP)
Priority Data:
2014-022516 07.02.2014 JP
Title (EN) CHARGE MODULATION ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE MODULATION DE CHARGE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 電荷変調素子及び固体撮像装置
Abstract: front page image
(EN)Provided are: a charge modulation element which makes it easy to keep an electric field constant across a long charge-transfer-path distance, and makes it possible to avoid problems caused by interface defects or the like; and a solid-state imaging device. The charge modulation element is equipped with: a first charge-storage region (61), a second charge-storage region (62), a third charge-storage region (63), and a fourth charge-storage region (64) which are provided in symmetrical positions relative to the center position of a light-receiving region; and a first electric-field-control electrode pair (41a, 41b), a second electric-field-control electrode pair (42a, 42b), a third electric-field-control electrode pair (43a, 43b), and a fourth electric-field-control electrode pair (44a, 44b) which change the depletion potential of the charge transfer path, and are positioned on both sides of the charge transfer path leading from the center position of the light-receiving region to each of the first charge-storage region (61), the second charge-storage region (62), the third charge-storage region (63), and the fourth charge-storage region (64).
(FR)L'invention concerne : un élément de modulation de charge qui facilite le maintien d'une constante de champ électrique sur une longue distance du chemin de transfert de charge, et permet d'éviter les problèmes causés par des défauts d'interfaces ou analogues; et un dispositif d'imagerie à semi-conducteur. L'élément de modulation de charge est équipé de : une première région (61) de stockage de charge, une deuxième région (62) de stockage de charge, une troisième région (63) de stockage de charge, et une quatrième région (64) de stockage de charge qui sont situées dans des positions symétriques par rapport à la position centrale d'une région de réception de lumière; et une première paire d'électrodes (41a, 41b) de commande de champ électrique, une deuxième paire d'électrodes (42a, 42b) de commande de champ électrique, une troisième paire d'électrodes (43a, 43b) de commande de champ électrique, et une quatrième paire d'électrodes (44a, 44b) de commande de champ électrique qui changent le potentiel d'appauvrissement du chemin de transfert de charge, et sont positionnées sur les deux côtés du chemin de transfert de charge conduisant de la position centrale de la région de réception lumineuse vers chacune de la première région (61) de stockage de charge, la deuxième région (62) de stockage de charge, la troisième région (63) de stockage de charge, et la quatrième région (64) de stockage de charge.
(JA) 電荷移動経路の長い距離にわたって電界を一定にすることが容易で、界面欠陥等に起因した問題が回避できる電荷変調素子、固体撮像装置を提供する。受光領域の中心位置に関して対称位置に設けられた第1の電荷蓄積領域(61)、第2の電荷蓄積領域(62)、第3の電荷蓄積領域(63)及び第4の電荷蓄積領域(64)と、受光領域の中心位置から第1の電荷蓄積領域(61)、第2の電荷蓄積領域(62)、第3の電荷蓄積領域(63)及び第4の電荷蓄積領域(64)のそれぞれに至る電荷移動経路の両側に配置され、電荷移動経路の空乏化電位を変化させる第1の電界制御電極対(41a,41b)、第2の電界制御電極対(42a,42b)、第3の電界制御電極対(43a,43b)及び第4の電界制御電極対(44a,44b)とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)