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1. (WO2015118743) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/118743    International Application No.:    PCT/JP2014/079957
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 12.11.2014
Chapter 2 Demand Filed:    27.02.2015    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
Inventors: ONISHI Toru; (JP)
Agent: KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho,Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009 (JP)
Priority Data:
2014-019022 04.02.2014 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor device (1) includes: a plurality of trench gates (3) formed in a row on a semiconductor substrate (2); an interlayer insulation film (4) having openings (45) through which the surface of the semiconductor substrate (2) is partially exposed; and a contact plug (5) formed in each opening (45). The interlayer insulation film (4) includes: a plurality of first sections (41) covering the trench gates (3); and second sections (42) formed between adjacent first sections (41) in a direction that intersects with the first sections (41). The openings (45) are formed in regions enclosed by the first sections (41) and the second sections (42). The length of each opening (45) in the direction along the first sections (41) is shorter than the length of the opening (45) in the direction along the second sections (42) intersecting with the first sections (41).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) qui comprend: une pluralité de grilles en tranchée (3) formées dans une rangée sur un substrat semi-conducteur (2); un film d'isolation intercouche (4) comportant des ouvertures (45) à travers lesquelles la surface du substrat semi-conducteur (2) est partiellement exposée; et une fiche de contact (5) formée dans chaque ouverture (45). Le film d'isolation intercouche (4) comprend: une pluralité de premières sections (41) couvrant les grilles en tranchée (3); et des secondes sections (42) formées entre des premières sections (41) adjacentes dans une direction qui croise les premières sections (41). Les ouvertures (45) sont formées dans des régions entourées par les premières sections (41) et les secondes sections (42). La longueur de chaque ouverture (45) dans la direction le long des premières sections (41) plus courte que la longueur de l'ouverture (45) dans la direction le long des secondes sections (42) croisant les premières sections (41).
(JA) 半導体装置1は、半導体基板2に並んで形成された複数のトレンチゲート3と、半導体基板2の表面の一部が露出する開口部45を有する層間絶縁膜4と、開口部45の中に形成されたコンタクトプラグ5を備える。層間絶縁膜4は、各トレンチゲート3を覆う複数の第1の部分41と、隣り合う第1の部分41の間において第1の部分41と交差する方向に沿って形成された第2の部分42とを備える。開口部45は、第1の部分41と第2の部分42によって囲まれた領域に形成されており、第1の部分41に沿う方向における開口部45の長さが、第1の部分41と交差する第2の部分42に沿う方向における開口部45の長さより短い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)