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1. (WO2015118725) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ELECTRONIC DEVICE FORMED USING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/118725 International Application No.: PCT/JP2014/077184
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 10.10.2014
IPC:
H01B 5/14 (2006.01) ,B32B 9/00 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01)
Applicants: LINTEC CORPORATION[JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
Inventors: HARA Tsutomu; JP
NAGANAWA Satoshi; JP
NAGAMOTO Koichi; JP
Agent: EMORI Kenji; JP
Priority Data:
2014-02198207.02.2014JP
Title (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ELECTRONIC DEVICE FORMED USING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FORMÉ À L'AIDE D'UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法、および透明導電フィルムを用いてなる電子デバイス
Abstract: front page image
(EN) The present invention provides a transparent conductive film having excellent moist heat characteristics, a method for producing said transparent conductive film, and an electronic device formed using such a transparent conductive film. Provided is a transparent conductive film formed by forming a gas barrier layer and a transparent conductive layer on at least one side of a resin substrate, wherein the transparent conductive layer includes zinc oxide and constitutes a zinc oxide film formed by doping gallium and indium, and if, in relation to the total content (100 atom%) of zinc content, gallium content, oxygen content, and indium content in the transparent conductive layer according to XPS elemental analysis measurement, the indium content is configured to a value within the range of 0.01-25 atom%, if the gallium content is configured to a value within the range of 0.1-10 atom%, if the initial specific resistance is termed ρ0, and if the specific resistance after storing for 500 hours under conditions of 60°C and 95% relative humidity is termed ρ1, then the ratio represented by ρ10 is configured to a value of 1.5 or less, and the film thickness of the zinc oxide film is configured to a value within the range of 10-300 nm.
(FR) La présente invention porte sur un film conducteur transparent présentant d'excellentes caractéristiques de chaleur humide, sur un procédé permettant de produire ledit film conducteur transparent et sur un dispositif électronique formé à l'aide d'un tel film conducteur transparent. La présente invention concerne un film conducteur transparent formé par formation d'une couche barrière aux gaz et d'une couche conductrice transparente sur au moins un côté d'un substrat de résine, la couche conductrice transparente comprenant de l'oxyde de zinc et constituant un film d'oxyde de zinc formé par dopage du gallium et de l'indium, et si, par rapport à la teneur totale (100 % en atomes) de la teneur en zinc, de la teneur en gallium, de la teneur en oxygène et de la teneur en indium dans la couche conductrice transparente selon une mesure d'analyse élémentaire de spectroscopie XPS, la teneur en indium est configurée à une valeur se situant dans la plage allant de 0,01 à 25 % en atomes, si la teneur en gallium est configurée à une valeur se situant dans la plage allant de 0,1 à 10 % en atomes, si la résistance spécifique initiale est appelée ρ0, et si la résistance spécifique après stockage pendant 500 heures dans des conditions de 60 °C et de 95 % d'humidité relative est appelé ρ1, alors le rapport représenté par ρ10 est configuré à une valeur égale ou inférieure 1,5 et l'épaisseur de film du film d'oxyde de zinc est configurée à une valeur se situant dans la plage allant de 10 à 300 nm.
(JA)  優れた湿熱特性を有する透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法およびそのような透明導電フィルムを用いてなる電子デバイスを提供する。 樹脂基材の少なくとも片面にガスバリア層および透明導電層を形成してなる透明導電フィルム等であって、透明導電層が酸化亜鉛を含むとともに、ガリウムおよびインジウムをドープしてなる酸化亜鉛膜であり、透明導電層は、XPSの元素分析測定による亜鉛量、ガリウム量、酸素量、およびインジウム量の合計量(100atom%)に対して、インジウム量を0.01~25atom%の範囲内の値とするとともに、ガリウム量を0.1~10atom%の範囲内の値とし、初期の比抵抗をρ0とし、60℃、相対湿度95%の条件下、500時間、保管した後の比抵抗をρ1としたとき、ρ10で表わされる比率を1.5以下の値とし、かつ、酸化亜鉛膜の膜厚を10~300nmの範囲内の値とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)