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1. (WO2015118605) MATERIAL EVALUATION DEVICE AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/118605    International Application No.:    PCT/JP2014/052536
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 04.02.2014
IPC:
G01N 23/225 (2006.01), H01J 37/244 (2006.01)
Applicants: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP)
Inventors: YAMAGUCHI, Hideshi; (JP).
SOEDA, Takeshi; (JP)
Agent: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, NBF Ikebukuro City Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Priority Data:
Title (EN) MATERIAL EVALUATION DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE MATÉRIAU
(JA) 材料評価装置及び方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a material evaluation device, wherein a detector (12) uses an electron beam emitted from an electron beam irradiation unit (11) to detect reflected electrons or secondary electrons that are discharged from a sample (10), one end of the detector (12) is set apart from the sample (10) so as to face said sample in a non-contact state, and the other end is supported and fixed by a drive mechanism (13). The drive mechanism (13) is capable of moving the detector (12) in a three-dimensional manner to a discretionary position relative to the sample (10). As a result of this configuration, it is possible to suitably detect reflected electrons and secondary electrons that are scattered in arbitrary directions, thereby achieving an accurate crystal grain size evaluation in which no crystal grain boundaries are missed and obtaining an isotropic surface shape image.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'évaluation de matériau. Un détecteur (12) utilise un faisceau d'électrons émis à partir d'une unité d'irradiation par faisceau d'électrons (11) afin de détecter des électrons réfléchis ou des électrons secondaires qui sont déchargés à partir d'un échantillon (10) ; une extrémité du détecteur (12) est écartée de l'échantillon (10) de manière à faire face audit échantillon dans un état sans contact ; et l'autre extrémité est supportée et fixée par un mécanisme d'entraînement (13). Le mécanisme d'entraînement (13) est apte à déplacer le détecteur (12) d'une manière tridimensionnelle vers une position discrétionnaire par rapport à l'échantillon (10). Conséquemment à cette conception, il est possible de détecter de manière appropriée les électrons réfléchis et les électrons secondaires qui sont diffusés dans des directions arbitraires, ce qui permet de réaliser une évaluation précise de la taille de grain cristallin – au cours de laquelle aucun joint de grains cristallins n'est oublié – et d'obtenir une image de forme de surface isotrope.
(JA) 検出器(12)は、電子線照射部(11)による電子線の照射により試料(10)から放出される反射電子又は二次電子を検出するものであり、その一端が試料(10)と離間して対向した非接触状態とされ、他端が駆動機構(13)に支持固定されており、駆動機構(13)は、検出器(12)を試料(10)に対して3次元的に任意の位置に移動自在とされている。この構成により、任意の方位に散乱した反射電子や二次電子を適宜に検出することが可能であり、結晶粒界の見落としの無い正確な結晶粒径の評価及び等方的な表面形状像の取得が実現する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)