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1. (WO2015118472) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/118472    International Application No.:    PCT/IB2015/050867
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 05.02.2015
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: KOEZUKA, Junichi; (JP).
JINTYOU, Masami; .
SHIMA, Yukinori; .
KUROSAKI, Daisuke; .
NAKADA, Masataka; .
YAMAZAKI, Shunpei;
Priority Data:
2014-022864 07.02.2014 JP
2014-022865 07.02.2014 JP
2014-051134 14.03.2014 JP
2014-051138 14.03.2014 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device including an oxide semiconductor in which on-state current is high is provided. The semiconductor device includes a first transistor provided in a driver circuit portion and a second transistor provided in a pixel portion; the first transistor and the second transistor have different structures. Furthermore, the first transistor and the second transistor are transistors having a top-gate structure. In an oxide semiconductor film of each of the transistors, an impurity element is contained in regions which do not overlap with a gate electrode. The regions of the oxide semiconductor film which contain the impurity element function as low-resistance regions. Furthermore, the regions of the oxide semiconductor film which contain the impurity element are in contact with a film containing hydrogen. The first transistor provided in the driver circuit portion includes two gate electrodes between which the oxide semiconductor film is provided.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un semi-conducteur à oxyde dans lequel le courant à l'état passant est élevé. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier transistor disposé dans une partie circuit d'attaque et un second transistor disposé dans une partie pixel ; le premier transistor et le second transistor ont des structures différentes. En outre, le premier transistor et le second transistor sont des transistors ayant une structure à grille supérieure. Dans un film de semi-conducteur à oxyde de chacun des transistors, un élément d'impureté est contenu dans des régions qui ne se chevauchent pas avec une électrode de grille. Les régions du film de semi-conducteur à oxyde qui contiennent l'élément d'impureté fonctionnent en tant que régions à faible résistance. En outre, les régions du film de semi-conducteur à oxyde qui contiennent l'élément d'impureté sont en contact avec un film contenant de l'hydrogène. Le premier transistor prévu dans la partie circuit d'attaque comprend deux électrodes de grille entre lesquelles le film de semi-conducteur à oxyde est prévu.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)