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1. (WO2015118417) METAL SEMICONDUCTOR ALLOY CONTACT RESISTANCE IMPROVEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/118417    International Application No.:    PCT/IB2015/050147
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 08.01.2015
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
IBM JAPAN LIMITED [JP/JP]; 19-21 Nihonbashi Hakozaki-cho, Chuo-ku Tokyo 103-8510 (JP) (MG only)
Inventors: BREIL, Nicolas; (US).
OZCAN, Ahmet, Serkan; (US).
ALPTEKIN, Emre; (US).
LAVOIE, Christian; (US).
SCHONENBERG, Kathryn; (US)
Agent: GRAHAM, Timothy; (GB)
Priority Data:
14/172,526 04.02.2014 US
Title (EN) METAL SEMICONDUCTOR ALLOY CONTACT RESISTANCE IMPROVEMENT
(FR) AMÉLIORATION DE LA RÉSISTANCE D'UN CONTACT EN ALLIAGE MÉTAL-SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)Contact openings are formed into a dielectric material exposing a surface portion of a semiconductor substrate. A first transition metal liner including at least one first transition metal element, a second transition metal liner including at least one second transition metal element that is different from the at least one first transition metal element and a metal contact are sequentially formed within each contact opening. Following a planarization process, the structure is annealed forming metal semiconductor alloy contacts at the bottom of each contact opening. Each metal semiconductor alloy contact that is formed includes the at least one first transition metal element, the at least one second transition metal element and a semiconductor element.
(FR)L'invention a pour objet l'amélioration de la résistance d'un contact en alliage métal-semiconducteur et forme à cet effet des ouvertures de contact dans un matériau diélectrique exposant une partie de la surface d'un substrat en semiconducteur. Un premier revêtement en métal de transition comprenant au moins un premier élément métallique de transition, un deuxième revêtement en métal de transition comprenant au moins un deuxième élément métallique de transition qui est différent dudit premier élément métallique de transition et un contact métallique sont formés séquentiellement à l'intérieur de chaque ouverture de contact. Après un processus de planarisation, la structure est recuite pour former des contacts en alliage métal-semiconducteur sur le fond de chaque ouverture de contact. Chaque contact en alliage métal-semiconducteur qui est formé comprend ledit premier élément métallique de transition, ledit deuxième élément métallique de transition et un élément semiconducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)