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1. (WO2015117891) ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/117891    International Application No.:    PCT/EP2015/051849
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 29.01.2015
IPC:
H01L 51/52 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: SCHWAMB, Philipp; (DE).
BAISL, Richard; (DE).
SCHICKTANZ, Simon; (DE).
POPP, Michael; (DE)
Agent: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Grillparzerstr. 14 81675 München (DE)
Priority Data:
10 2014 101 518.5 07.02.2014 DE
Title (DE) ORGANISCHES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ORGANIQUE
Abstract: front page image
(DE)In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein organisches optoelektronisches Bauelement (10) bereitgestellt. Das organische optoelektronische Bauelement (10) weist auf eine erste Elektrode (20), eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), eine zweite Elektrode (23) über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) und eine Isolierschicht (24), die zumindest über einem Teilbereich einer der beiden Elektroden (20, 23) ausgebildet ist. Eine Reaktionsschichtstruktur (52) ist über der Isolierschicht (24) ausgebildet und weist mindestens eine erste Reaktionsschicht (60) und mindestens eine zweite Reaktionsschicht (62) auf, die Stoffschlüssig miteinander verbunden sind. Eine Abdeckung (38) ist über der Reaktionsschichtstruktur (52) angeordnet. Eine erste Haftvermittlerschicht (50) ist zwischen der Isolierschicht (24) und der Reaktionsschichtstruktur (52) ausgebildet, weist ein erstes metallisches Material auf und ist zumindest teilweise mit der Reaktionsschichtstruktur (52) stoffschlüssig verbunden. Alternativ oder zusätzlich ist eine zweite Haftvermittlerschicht (54) zwischen der Reaktionsschichtstruktur (52) und der Abdeckung (38) ausgebildet, weist ein metallisches zweites Material auf und ist zumindest teilweise mit der Reaktionsschichtstruktur (52) stoffschlüssig verbunden.
(EN)The invention relates to an organic optoelectronic component (10) in different embodiments. The organic optoelectronic component (10) has a first electrode (20), an organic functional layer structure (22) above the first electrode (20), a second electrode (23) above the organic functional layer structure (22) and an insulating layer (24), which is formed at least above a partial region of one of the two electrodes (20, 23). A reaction layer structure (52) is formed above the insulating layer (24) and comprises at least one first reaction layer (60) and at least one second reaction layer (62), which are connected to each other in a firmly bonded manner. A cover (38) is arranged above the reaction layer structure (52). A first bonding agent layer (50) is formed between the insulating layer (24) and the reaction layer structure (52), comprises a first metallic material and is connected at least partially to the reaction layer structure (52) in a firmly bonded manner. A second bonding agent layer (54) is formed alternatively or additionally between the reaction layer structure (52) and the cover (38), comprises a metallic second material and is connected at least partially to the reaction layer structure (52) in a firmly bonded manner.
(FR)Différents exemples de réalisation de l'invention concernent un composant optoélectronique organique (10). Le composant optoélectronique organique (10) comporte une première électrode (20), une structure de couche fonctionnelle organique (22) par-dessus la première électrode (20), une deuxième électrode (23) par-dessus la structure de couche fonctionnelle organique (22), et une couche isolante (24) formée au moins par-dessus une zone partielle d'une des deux électrodes (20, 23). Une structure de couches réactives (52) est formée par-dessus la couche isolante (24) et comporte au moins une première couche réactive (60) et au moins une deuxième couche réactive (62) reliées entre elles par liaison de matière. Une couche de recouvrement (38) est disposée par-dessus la structure de couches réactives (52). Une première couche d'agent adhésif (50) est formée entre la couche isolante (24) et la structure de couches réactives (52), elle contient un premier matériau métallique et elle est reliée au moins en partie à la structure de couches réactives (52) par liaison de matière. En variante ou en plus, une deuxième couche d'agent adhésif (54) est formée entre la structure de couches réactives (52) et la couche de recouvrement (38), elle contient un deuxième matériau métallique et elle est reliée au moins en partie à la structure de couches réactives (52) par liaison de matière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)