WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015117824) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/117824    International Application No.:    PCT/EP2015/051148
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 21.01.2015
IPC:
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 25/075 (2006.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: HERRMANN, Siegfried; (DE).
MOOSBURGER, Jürgen; (DE).
ILLEK, Stefan; (DE).
SINGER, Frank; (DE).
VON MALM, Norwin; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2014 101 492.8 06.02.2014 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit: - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), umfassend - ein Aufwachssubstrat (21) mit einer Aufwachsfläche (21a), - eine auf der Aufwachsfläche (21a) aufgewachsene Schichtenfolge (22) mit einer Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) mit einer aktiven Zone (222), - Kontaktstellen (29) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) und - eine Isolationsschicht (26), die elektrisch isolierend ausgebildet ist - einem Anschlussträger (4), der an der der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Deckfläche (2a) des optoelektronischen Halbleiterchips angebracht ist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) elektrisch leitend mit dem Anschlussträger (4) verbunden ist und - auf einer der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Bodenfläche (21c) des Aufwachssubstrats (21) und allen Seitenflächen (21b) des Aufwachssubstrats (21) eine Konversionsschicht (5) aufgebracht ist.
(EN)The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1) comprising: - an optoelectronic semiconductor chip (2), comprising - a growth substrate (21) having a growth surface (21a), - a layer sequence (22) with a semiconductor layer sequence (221, 222, 223) with an active zone (222) grown on the growth surface (21a), - contact points (29) for electrically contacting the semiconductor layer sequence (221, 222, 223) and - an insulation layer (26), which is formed in an electrically insulating manner - a connection carrier (4), which is mounted to the cover surface (2a) of the optoelectronic semiconductor chip facing away from the growth surface (21a), wherein - the semiconductor layer sequence (221, 222, 223) is connected to the connection carrier (4) in an electrically conducting manner and - a conversion layer (5) is applied to a bottom surface (21c) of the growth substrate (21) facing away from the growth surface (21a) and to all side surfaces (21b) of the growth substrate (21).
(FR)L'invention concerne un composant optoélectronique à semi-conducteur (1) qui comprend : - une puce de semi-conducteur optoélectronique (2) pourvue - d'un substrat de croissance (21) possédant une surface de croissance (21a), - d'une succession de couches (22), dont la croissance est effectuée sur la surface de croissance (21a) et qui comporte une succession de couches de semi-conducteur (221, 222, 223) pourvue d'une zone active (222), - de points de contact (29) servant à contacter électriquement la succession de couches de semi-conducteur (221, 222, 223), et - d'une couche d'isolation (26) qui est configurée pour être électriquement isolante, - un support de connexion (4) qui est monté sur la surface supérieure (2a) de la puce de semi-conducteur optoélectronique qui est opposée à la surface de croissance (21a), - la succession de couches de semi-conducteur (221, 222, 223) étant reliée électriquement à la borne de connexion (4) et - une couche de conversion (5) étant appliquée sur une surface de fond (21c) du substrat de croissance (21), opposée à la surface de croissance (21a), et sur toutes les surfaces latérales (21b) du substrat de croissance (21).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)