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1. (WO2015116946) PERFORATING TWO-DIMENSIONAL MATERIALS USING BROAD ION FIELD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/116946    International Application No.:    PCT/US2015/013805
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 30.01.2015
IPC:
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01)
Applicants: LOCKHEED MARTIN CORPORATION [US/US]; 6801 Rockledge Drive Bethesda, Maryland 20817 (US)
Inventors: BEDWORTH, Peter V.; (US)
Agent: JONAS, Tamala R.; (US)
Priority Data:
61/934,530 31.01.2014 US
Title (EN) PERFORATING TWO-DIMENSIONAL MATERIALS USING BROAD ION FIELD
(FR) PERFORATION DE MATÉRIAUX BIDIMENSIONNELS À L'AIDE D'UN LARGE CHAMP IONIQUE
Abstract: front page image
(EN)Perforating graphene and other two-dimensional materials with holes inclusively having a desired size range, a narrow size distribution, and a high hole density can be difficult to achieve. A layer in continuous contact with graphene, graphene-based materials and other two-dimensional materials can help promote hole formation. Processes for perforating a two-dimensional material can include exposing to an ion source a two-dimensional material in continuous contact with at least one layer, and interacting a plurality of ions from the ion source with the two-dimensional material and with the at least one layer. The ion source may be a broad ion beam.
(FR)L'invention porte sur la difficulté à réaliser une perforation du graphène et d'autres matériaux bidimensionnels, les trous présentant inclusivement une gamme de dimensions souhaitée, une distribution étroite par taille, et une concentration de trous élevée. Une couche en contact continu avec le graphène, les matériaux à base de graphène et d'autres matériaux bidimensionnels peut aider à favoriser la formation des trous. Des procédés permettant de perforer un matériau bidimensionnel peuvent consister à exposer à une source d'ions un matériau bidimensionnel en contact continu avec au moins une couche et à faire interagir une pluralité d'ions provenant de la source d'ions avec le matériau bidimensionnel et avec la ou les couches. La source d'ions peut être un large faisceau ionique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)