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1. (WO2015116857) PROCESSES FOR FORMING COMPOSITE STRUCTURES WITH A TWO-DIMENSIONAL MATERIAL USING A POROUS, NON-SACRIFICIAL SUPPORTING LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/116857    International Application No.:    PCT/US2015/013599
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 29.01.2015
IPC:
C03C 27/00 (2006.01)
Applicants: LOCKHEED MARTIN CORPORATION [US/US]; 6801 Rockledge Drive Bethesda, Maryland 20817 (US)
Inventors: SINSABAUGH, Steven Lloyd; (US).
BEDWORTH, Peter V.; (US).
CASEY, David Francis, Jr.; (US).
HEISE, Scott E.; (US).
SINTON, Steven W.; (US).
STOLTENBERG, Randall Mark; (US).
SWETT, Jacob Louis; (US)
Agent: MARSHALL, Shireen R.; (US)
Priority Data:
61/934,537 31.01.2014 US
Title (EN) PROCESSES FOR FORMING COMPOSITE STRUCTURES WITH A TWO-DIMENSIONAL MATERIAL USING A POROUS, NON-SACRIFICIAL SUPPORTING LAYER
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES COMPOSITES AVEC UN MATÉRIAU À DEUX DIMENSIONS À L'AIDE D'UNE COUCHE DE SUPPORT NON-SACRIFICIELLE POREUSE
Abstract: front page image
(EN)It can be difficult to remove atomically thin films, such as graphene, graphene-based material and other two-dimensional materials, from a growth substrate and then to transfer the thin films to a secondary substrate. Tearing and conformality issues can arise during the removal and transfer processes. Processes for forming a composite structure by manipulating a two-dimensional material, such as graphene or graphene-base material, can include: providing a two-dimensional material adhered to a growth substrate; depositing a supporting layer on the two-dimensional material while the two-dimensional material is adhered to the growth substrate; and releasing the two-dimensional material from the growth substrate, the two-dimensional material remaining in contact with the supporting layer following release of the two-dimensional material from the growth substrate.
(FR)Il peut être difficile d'éliminer des couches atomiquement minces, telles que graphène, matériau à base de graphène et autres matériaux en deux dimensions, à partir d'un substrat de croissance puis de transférer les couches minces vers un substrat secondaire. Des problèmes de déchirure et conformalité peuvent survenir durant les processus de retrait et de transfert. Des procédés de formation d'une structure composite par manipulation d'un matériau à deux dimensions, tel que graphène ou matériau à base de graphène, peuvent consister à : fournir un matériau à deux dimensions collée à un substrat de croissance ; déposer une couche de support sur le matériau à deux dimensions tandis que le matériau à deux dimensions est collé sur le substrat de croissance ; et libérer le matériau à deux dimensions du substrat de croissance, le matériau à deux dimensions restant en contact avec la couche de support après la libération du matériau à deux dimensions du substrat de croissance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)