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1. (WO2015116831) METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR IN REDISTRIBUTION LAYER (RDL) OF AN INTEGRATED DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/116831    International Application No.:    PCT/US2015/013547
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 29.01.2015
Chapter 2 Demand Filed:    20.11.2015    
IPC:
H01L 23/538 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: GU, Shiqun; (US).
LANE, Ryan, David; (US).
RASKIN, Glenn, David; (US).
PANDEY, Shree, Krishna; (US)
Agent: THAVONEKHAM, S., Sean; (US).
LOZA, Julio; Loza & Loza LLP 305 North Second Avenue, #127 Upland, CA 91786 (US)
Priority Data:
61/934,613 31.01.2014 US
14/181,522 14.02.2014 US
Title (EN) METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR IN REDISTRIBUTION LAYER (RDL) OF AN INTEGRATED DEVICE
(FR) CONDENSATEUR MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL (MIM) DANS UNE COUCHE DE REDISTRIBUTION (RDL) D'UN DISPOSITIF INTÉGRÉ
Abstract: front page image
(EN)Some features pertain to an integrated device that includes a substrate, several metal layers coupled to the substrate, several dielectric layers coupled to the substrate, and a redistribution portion coupled to one of the metal layers. The redistribution portion includes a first metal redistribution layer, an insulation layer coupled to the first metal redistribution layer, and a second metal redistribution layer coupled to the insulation layer. The first metal redistribution layer, the insulation layer, and the second metal redistribution layer are configured to operate as a capacitor in the integrated device. In some implementations, the capacitor is a metal-insulator-metal (MIM) capacitor.
(FR)L'invention se rapporte à un dispositif intégré qui comprend un substrat, plusieurs couches métalliques couplée au substrat, plusieurs couches diélectriques couplées au substrat et une partie de redistribution couplée à l'une des couches métalliques. La partie de redistribution comprend une première couche de redistribution métallique, une couche isolante couplée à la première couche de redistribution métallique, et une seconde couche de redistribution métallique couplée à la couche isolante. La première couche de redistribution métallique, la couche isolante et la seconde couche de redistribution métallique sont configurées pour fonctionner comme un condensateur dans le dispositif intégré. Selon certains modes de réalisation, le condensateur est un condensateur métal-isolant-métal (MIM).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)