WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015116635) SYSTEM AND METHOD FOR LASER CUTTING SAPPHIRE USING MULTIPLE GAS MEDIA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/116635    International Application No.:    PCT/US2015/013212
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 28.01.2015
IPC:
B23K 26/12 (2014.01), B23K 26/14 (2014.01), B23K 26/38 (2014.01), B23K 26/40 (2014.01)
Applicants: APPLE INC. [US/US]; One Infinite Loop Cupertino, California 95014 (US)
Inventors: LI, Michael M.; (US).
RICHTER, Anthony J.; (US).
MEMERING, Dale N.; (US)
Agent: HEMENWAY, S. Craig; (US)
Priority Data:
14/168,285 30.01.2014 US
Title (EN) SYSTEM AND METHOD FOR LASER CUTTING SAPPHIRE USING MULTIPLE GAS MEDIA
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE DÉCOUPE AU LASER D'UN SAPHIR À L'AIDE DE MILIEUX GAZEUX MULTIPLES
Abstract: front page image
(EN)A system and a method for manufacturing a sapphire part. A sapphire substrate 300 is obtained for performing a laser cutting operation. The sapphire substrate is cut along a cut profile 302 using a laser 402 and a first gas medium supplied by a gas delivery device 404. The first gas medium is substantially comprised of an inert gas. The sapphire substrate is then irradiated at or near the cut profile using the laser and a second gas medium. The second gas medium is different than the first gas medium comprising oxygen.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé de fabrication d'une pièce en saphir. Un substrat de saphir (300) est obtenu en vue de la mise en oeuvre d'une opération de coupe au laser. Le substrat de saphir est coupé le long d'un profil de découpe (302) à l'aide d'un laser (402) et d'un premier milieu gazeux fourni par un dispositif distributeur de gaz (404). Le premier milieu gazeux est sensiblement constitué d'un gaz inerte. Le substrat de saphir est ensuite traité par rayonnement au niveau du profil de découpe ou à proximité de celui-ci au moyen du laser et d'un second milieu gazeux. Le second milieu gazeux est différent du premier milieu gazeux comprenant de l'oxygène.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)