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1. (WO2015116600) MLU CONFIGURED AS ANALOG CIRCUIT BUILDING BLOCKS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/116600    International Application No.:    PCT/US2015/013136
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 27.01.2015
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: CROCUS TECHNOLOGY INC. [US/US]; 2380 Walsh Avenue Santa Clara, California 95051 (US)
Inventors: LEE, Douglas J.; (US).
OREN-PINES, Yaron; (US).
TABATABAEI, Seyed A.; (US).
RUMLEY, Stuart Desmond; (US).
CAMBOU, Bertrand F.; (US)
Agent: GALLIANI, William S.; (US)
Priority Data:
61/932,693 28.01.2014 US
Title (EN) MLU CONFIGURED AS ANALOG CIRCUIT BUILDING BLOCKS
(FR) UNITÉ LOGIQUE MAGNÉTIQUE (MLU) CONFIGURÉE SOUS FORME DE BLOCS DE CONSTRUCTION DE CIRCUIT ANALOGIQUE
Abstract: front page image
(EN)A circuit includes a magnetic logic unit including input terminals, output terminals, a field line, and magnetic tunnel junctions (MTJs). The field line electrically connects a first and a second input terminal, and is configured to generate a magnetic field based on an input to at least one of the first and the second input terminal. The input is based on an analog input to the circuit. Each MTJ is electrically connected to a first output terminal and a second output terminal, and is configured such that an output of at least one of the first and the second output terminal varies in response to a combined resistance of the MTJs. The resistance of each of the MTJs varies based on the magnetic field. The circuit is configured to generate an analog output based on the output of at least one of the first and the second output terminal.
(FR)L'invention concerne un circuit qui comprend une unité logique magnétique comprenant des bornes d'entrée, des bornes de sortie, une ligne de champ et des jonctions tunnel magnétiques (MTJ pour Magnetic Tunnel Junction). La ligne de champ raccorde électriquement une première et une seconde borne d'entrée et est configurée pour produire un champ magnétique sur la base d'une entrée à la première et/ou à la seconde borne d'entrée. L'entrée est basée sur une entrée analogique au circuit. Chaque jonction MTJ est raccordée électriquement à une première borne de sortie et à une seconde borne de sortie et est configurée de telle sorte qu'une sortie de la première et/ou de la seconde borne de sortie varie en réponse à une résistance combinée des jonctions MTJ. La résistance de chaque jonction MTJ varie sur la base du champ magnétique. Le circuit est configuré pour produire une sortie analogique sur la base de la sortie de la première et/ou de la seconde borne de sortie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)