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1. (WO2015116532) METHOD FOR SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING WITHOUT ATOMIC LAYER DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/116532 International Application No.: PCT/US2015/012896
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 26.01.2015
IPC:
G03F 7/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.[US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, TX 78741, US (JP)
Inventors: DEVILLIERS, Anton, J.; US
Agent: MATHER, Joshua, D.; US
Priority Data:
61/932,48728.01.2014US
Title (EN) METHOD FOR SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING WITHOUT ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE DOUBLE FORMATION DE MOTIF AUTO-ALIGNÉE SANS DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
Abstract: front page image
(EN) A method for self-aligned double patterning without needing atomic layer deposition techniques is disclosed. Techniques include using a staircase etch technique to preferentially shrink one material without shrinking an underlying material, followed by a resist-based chemical polishing and planarization technique that yields a narrowed and protruding feature (single-layer thickness) that is sufficiently physically supported, and that can be transferred to one or more underlying layers. After removing a resist coating, the result is a pattern that has been doubled without using ALD techniques. Such techniques improve efficiencies over conventional techniques for self-aligned double patterning.
(FR) La présente invention concerne un procédé de double formation de motif auto-alignée ne nécessitant pas de faire appel à des techniques de dépôt de couche atomique. Des techniques font appel à l'utilisation d'une technique de gravure en escalier pour assurer un retrait préférentiel d'un matériau sans retrait d'un matériau sous-jacent, puis à une technique de polissage et de planarisation chimique à base de réserve qui donne une caractéristique rétrécie et en saillie (épaisseur monocouche) qui est suffisamment supportée physiquement, et qui peut être transférée vers une ou plusieurs couches sous-jacentes. Après le retrait d'un revêtement de réserve, le résultat est un motif qui a été doublé sans faire appel à des techniques d'ALD. Ces techniques améliorent l'efficacité par rapport à des techniques classiques de double formation de motif auto-alignée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)