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1. (WO2015116415) MULTI-LEVEL CELL DESIGNS FOR HIGH DENSITY LOW POWER GSHE-STT MRAM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/116415    International Application No.:    PCT/US2015/011898
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 19.01.2015
Chapter 2 Demand Filed:    25.11.2015    
IPC:
G11C 11/18 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: WU, Wenqing; (US).
YUEN, Kendrick Hoy Leong; (US).
ARABI, Karim; (US)
Agent: CICCOZZI, John L.; (US)
Priority Data:
61/932,768 28.01.2014 US
14/479,539 08.09.2014 US
Title (EN) MULTI-LEVEL CELL DESIGNS FOR HIGH DENSITY LOW POWER GSHE-STT MRAM
(FR) CONCEPTIONS DE CELLULE MULTINIVEAU POUR MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN À EFFET HALL DE SPIN GÉANT HYBRIDE À HAUTE DENSITÉ, DE FAIBLE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)Systems and methods are directed to multi-level cell (MLC) comprising: two or more programmable elements coupled to a common access transistor, wherein each one of the two or more programmable elements has a corresponding unique set of two or more switching resistances and two or more switching currents characteristics, such that combinations of the two or more programmable elements configured in the respective two or more switching resistance correspond to multi-bit binary states controllable by passing switching currents through the common access transistor. Each one of the two or more programmable elements includes one or more hybrid giant spin Hall effect (GSHE)-spin transfer torque (STT) magnetoresistive random access memory (MRAM) cell, with two or more hybrid GSHE-STT MRAM cells coupled in parallel.
(FR)La présente invention concerne des systèmes et des procédés qui ont pour objet une cellule multiniveau (MLC) comprenant : deux éléments programmables ou plus couplés à un transistor d'accès commun, chacun des deux éléments programmables ou plus comprenant un unique ensemble correspondant de deux résistances de commutation ou plus et deux caractéristiques de courant de commutation ou plus, de manière que des combinaisons de deux éléments programmables ou plus configurés dans les deux résistances de commutation respectives ou plus correspondent à des états binaires multi-bit pouvant être réglés par passage de courants de commutation à travers le transistor d'accès commun. Chacun des deux éléments programmables ou plus comprend une ou plusieurs cellules de mémoire (MRAM) vive magnétique de couple (STT) de transfert de spin à effet (GSHE) Hall de spin géant hybride, dotés de deux cellules de mémoire vive magnétique de couple de transfert de spin à effet Hall de spin géant hybride couplées en parallèle.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)