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1. (WO2015116350) LOW TEMPERATURE CURE MODULUS ENHANCEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/116350    International Application No.:    PCT/US2015/010323
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 06.01.2015
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: MANNA, Pramit; (US).
THADANI, Kiran V.; (US).
MALLICK, Abhijit Basu; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; (US)
Priority Data:
61/933,158 29.01.2014 US
Title (EN) LOW TEMPERATURE CURE MODULUS ENHANCEMENT
(FR) AMÉLIORATION DE MODULE DE DURCISSEMENT À BASSE TEMPÉRATURE
Abstract: front page image
(EN)Implementations described herein generally relate to methods for dielectric gap-fill. In one implementation, a method of depositing a silicon oxide layer on a substrate is provided. The method comprises introducing a cyclic organic siloxane precursor and an aliphatic organic siloxane precursor into a deposition chamber, reacting the cyclic organic siloxane precursor and the aliphatic organic siloxane precursor with atomic oxygen to form the silicon oxide layer on a substrate positioned in the deposition chamber, wherein the substrate is maintained at a temperature between about 0 °C and about 200 °C as the silicon oxide layer is formed, wherein the silicon oxide layer is initially flowable following deposition, and wherein a ratio of a flow rate of the cyclic organic siloxane precursor to a flow rate of the aliphatic organic siloxane precursor is at least 2:1 and curing the deposited silicon oxide layer.
(FR)La présente invention, selon des modes de réalisation, concerne globalement des procédés de remplissage sans lacune de diélectrique. Un mode de réalisation concerne un procédé de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium sur un substrat. Le procédé consiste à introduire un précurseur de siloxane organique cyclique et un précurseur de siloxane organique aliphatique dans une chambre de dépôt, à faire réagir le précurseur de siloxane organique cyclique et le précurseur de siloxane organique aliphatique avec de l'oxygène atomique pour former la couche d'oxyde de silicium sur un substrat disposé dans la chambre de dépôt, le substrat étant maintenu à une température comprise entre environ 0 °C et environ 200 °C lors de la formation de la couche d'oxyde de silicium, la couche d'oxyde de silicium pouvant initialement s'écouler après le dépôt, et un rapport d'un taux d'écoulement du précurseur de siloxane organique cyclique à un taux d'écoulement du précurseur de siloxane organique aliphatique étant d'au moins 2:1 et à faire durcir la couche d'oxyde de silicium déposée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)