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1. (WO2015116119) NONLINEAR DIELECTRIC STACK CIRCUIT ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/116119    International Application No.:    PCT/US2014/013957
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 30.01.2014
IPC:
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Applicants: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US)
Inventors: JACKSON, Warren; (US).
GIBSON, Gary; (US).
WILLIAMS, R. Stanley; (US).
YANG, Jianhua; (US)
Agent: COLLINS, David W.; Hewlett Packard Enterprise 3404 E. Harmony Road Mail Stop 79 Fort Collins, CO 80528 (US)
Priority Data:
Title (EN) NONLINEAR DIELECTRIC STACK CIRCUIT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CIRCUIT D'EMPILEMENT DIÉLECTRIQUE NON LINÉAIRE
Abstract: front page image
(EN)A nonlinear dielectric stack circuit element includes a first layer of material having a first dielectric constant; a second layer of material having a second dielectric constant; and a third layer of material sandwiched between the first layer of material and the second layer of material and having a third dielectric constant. The third dielectric constant has a value less than the first dielectric constant and the second dielectric constant.
(FR)L'invention concerne un élément de circuit d'empilement diélectrique non linéaire qui comprend une première couche d'un matériau présentant une première constante diélectrique; une deuxième couche d'un matériau présentant une deuxième constante diélectrique; et une troisième couche d'un matériau intercalée ente la première couche de matériau et la deuxième couche de matériau et présentant une troisième constante diélectrique. La troisième constante diélectrique présente une valeur inférieure à celles de la première constante diélectrique et de la deuxième constante diélectrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)