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1. (WO2015115724) METHOD FOR DOPING AND FORMING ELECTRODE FOR SOLAR CELL AND SOLAR CELL FORMED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115724    International Application No.:    PCT/KR2014/011043
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 18.11.2014
IPC:
H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: HYUNDAI HEAVY INDUSTRIES CO., LTD. [KR/KR]; (Jeonha-dong) 1000, Bangeojinsunhwando-ro, Dong-gu, Ulsan 682-792 (KR)
Inventors: AHN, Jin Hyung; (KR)
Agent: HWANG MOK PARK IP GROUP; (Line Building, Yeoksam-dong) 8F, 16, Teheranro-14-gil, Gangnam-gu, Seoul 135-933 (KR)
Priority Data:
10-2014-0010395 28.01.2014 KR
Title (EN) METHOD FOR DOPING AND FORMING ELECTRODE FOR SOLAR CELL AND SOLAR CELL FORMED THEREBY
(FR) PROCEDE DE DOPAGE ET DE FORMATION D'ELECTRODE POUR CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE AINSI FORMEE
(KO) 태양전지의 도핑 및 전극 형성방법과 그 태양전지
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a method for doping a solar cell, a method for forming a metal electrode in a solar cell, and a solar cell manufactured by the methods, more specifically characterized in terms of simultaneously forming, in a single step, a high-doping area around an electrode to reduce contact resistance with the electrode, and a silicide layer used in the metal electrode. The present invention comprises: carrying out a doping step for forming a p-n junction on a silicon wafer and a passivation step; and then a step of removing a portion of a passivation layer to form a contact area; a step of adding a dopant source and an ink to the contact area, wherein the ink comprises a mixture of raw metals of silicon and silicide; forming the high-doping area by diffusing, on a silicon wafer, a dopant included in the silicide while forming a silicide layer by treating the contact area in an inert atmosphere or a reducing atmosphere; and a step of forming the metal electrode on top of the high-doping area.
(FR)La présente invention concerne un procédé de dopage d'un cellule solaire, un procédé de fabrication d'une électrode métallique dans une cellule solaire, et une cellule solaire fabriquée à l'aide de ces procédés. Plus spécifiquement, les procédés sont caractérisés en ce qu'il consistent à former simultanément, en une seule étape, une zone à dopage élevé autour d'une électrode afin de réduire la résistance de contact avec l'électrode, et une couche de siliciure utilisée dans l'électrode métallique. La présente invention consiste à mettre en oeuvre : une étape de dopage pour former une jonction p-n sur une tranche de silicium, et une étape de passivation ; et ensuite une étape consistant à éliminer une partie d'une couche de passivation pour former une zone de contact ; une étape consistant à ajouter une source de dopant et une encre à la zone de contact, l'encre comprenant un mélange de métaux bruts de silicium et de siliciure ; former la zone à dopage élevé par diffusion, sur une tranche de silicium, d'un dopant inclus dans le siliciure pendant la formation d'une couche de siliciure par le traitement de la zone de contact dans une atmosphère inerte ou une atmosphère réductrice ; et une étape consistant à former l'électrode métallique sur la zone à dopage élevé.
(KO)본 발명은 태양전지에서 도핑을 실시하는 방법과 금속전극을 형성하는 방법, 그리고 이를 이용해서 형성되는 태양전지에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로는 전극과의 접촉저항 감소를 위해 형성되는 전극 주변의 high-doping 영역과 금속 전극에 사용되는 실리사이드층 형성 공정을 하나의 공정으로 동시에 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 실리콘 웨이퍼에 PN접합 형성을 위한 도핑 공정 및 패시베이션 공정을 실시한 이후, 접촉영역을 형성하기 위해 패시베이션층의 일부를 제거하는 공정, 접촉영역에 도펀트 소스와 실리콘 그리고 실리사이드 원료금속이 혼합된 잉크를 가하는 공정, 이를 비활성 또는 환원성 분위기에서 열처리하여 실리사이드층을 형성하면서 실리사이드에 포함된 도펀트를 실리콘 웨이퍼으로 확산시켜 high-doping 영역을 형성하는 공정, 그 상부에 금속전극을 형성하는 공정을 거친다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)