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1. (WO2015115607) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115607    International Application No.:    PCT/JP2015/052712
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 30.01.2015
IPC:
H01G 9/20 (2006.01), H01L 51/44 (2006.01)
Applicants: FUJIKURA LTD. [JP/JP]; 5-1, kiba 1-chome, Koto-ku, Tokyo 1358512 (JP)
Inventors: KITSUDA Mami; (JP)
Agent: AOKI Hiroaki; (JP)
Priority Data:
2014-015430 30.01.2014 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
Abstract: front page image
(EN)This photoelectric conversion element has at least one photoelectric conversion cell. The photoelectric conversion cell has: a first base material having a transparent substrate; a second base material facing the first base material; and an oxide semiconductor layer that is provided between the first base material and the second base material. At least one photoelectric conversion cell has a sealing section that connects together the first base material and the second base material of at least the one photoelectric conversion cell, and the sealing section has a first sealing section that is provided between the first base material and the second base material. The first sealing section has an annular outer sealing section, and at least one inner sealing section, which is provided on the inner side of the outer sealing section so as to form the same number of cell spaces as the photoelectric conversion cells, and the thickness of the outer sealing section is more than that of the inner sealing section.
(FR)Selon l'invention, un élément de conversion photoélectrique a au moins une cellule de conversion photoélectrique. La cellule de conversion photoélectrique comprend : un premier matériau de base avec un substrat transparent ; un deuxième matériau de base faisant face au premier matériau de base ; et une couche semi-conductrice d'oxyde qui est située entre le premier matériau de base et le deuxième matériau de base. Au moins une cellule de conversion photoélectrique a une section de scellage qui raccorde ensemble le premier matériau de base et le deuxième matériau de base d'au moins ladite cellule de conversion photoélectrique, et la section de scellage a une première section de scellage qui est située entre le premier matériau de base et le deuxième matériau de base. La première section de scellage a une section de scellage annulaire extérieure, et au moins une section de scellage intérieure, qui est située du côté intérieur de la section de scellage extérieure de façon à former le même nombre d'espaces de cellule que les cellules de conversion photoélectrique, et l'épaisseur de la section de scellage extérieure est supérieure à celle de la section de scellage intérieure.
(JA) 光電変換素子は、少なくとも1つの光電変換セルを有する。光電変換セルは、透明基板を有する第1基材と、第1基材に対向する第2基材と、第1基材と第2基材との間に設けられる酸化物半導体層とを有する。少なくとも1つの光電変換セルは、少なくとも1つの光電変換セルの第1基材及び第2基材を連結する封止部を有し、封止部は、第1基材と第2基材との間に設けられる第1封止部を有する。第1封止部は、環状の外側封止部と、外側封止部の内側に、光電変換セルと同数のセル空間を形成するように設けられる少なくとも1つの内側封止部とを有し、外側封止部の厚さは内側封止部の厚さよりも大きくなっている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)