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1. (WO2015115422) PTC ELEMENT AND HEATING MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115422    International Application No.:    PCT/JP2015/052183
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 27.01.2015
IPC:
H01C 7/02 (2006.01), H01C 17/06 (2006.01)
Applicants: HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 2-70, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088224 (JP)
Inventors: INO Kentaro; (JP).
SHIMADA Takeshi; (JP)
Agent: SHIN-EI PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2014-013134 28.01.2014 JP
Title (EN) PTC ELEMENT AND HEATING MODULE
(FR) ÉLÉMENT PTC ET MODULE CHAUFFANT
(JA) PTC素子および発熱モジュール
Abstract: front page image
(EN)Provided is a PTC element which resolves the problem of increase in surface resistance in forming a base metal-based electrode on a BaTiO3-based semiconductor ceramic composition using baking. The present invention is a PTC element in which a base metal-based electrode having, as a main component, Al and/or Ni is formed on a semiconductor ceramic composition using baking, said PTC element characterized in that: the semiconductor ceramic composition has a perovskite structure comprising BaTiO3-type oxide; the base metal-based electrode is provided with a first electrode layer, which is a first layer, in contact with the semiconductor ceramic composition, and a second electrode layer, which is a second layer, covering the first electrode layer; the proportion of the sum of Al and Ni included in the first electrode layer, when the total of Al, Ni, B, and Si is treated as 100% by weight, is greater than or equal to 50% by weight and less than 95% by weight, and the first electrode layer includes B and/or Si; and the proportion of Al included in the second electrode layer, when the total of Al, Ni, B, and Si is treated as 100% by weight, is greater than or equal to 90% by weight, and the proportion of Al included in the second electrode layer is greater than the proportion of the sum of Al and Ni included in the first electrode layer.
(FR)La présente invention concerne un élément PTC qui résout le problème d'augmentation de résistance superficielle dans la formation d'une électrode à base de métal de base sur une composition céramique à semi-conducteur à base de BaTiO3 en utilisant la cuisson. La présente invention est un élément PTC dans lequel une électrode à base de métal de base qui comporte, en tant que composant principal, Al et/ou Ni est formée sur une composition céramique à semi-conducteur en utilisant la cuisson. Ledit élément PTC est caractérisé en ce que : la composition céramique à semi-conducteur présente une structure pérovskite qui comprend un oxyde de type BaTiO3; l'électrode à base de métal de base est pourvue d'une première couche électrode, qui est une première couche, en contact avec la composition céramique à semi-conducteur, et d'une seconde couche électrode, qui est une seconde couche, couvrant la première couche électrode; la proportion de la somme d'Al et de Ni incluse dans la première couche électrode, lorsque le total d'Al, de Ni, de B, et de Si est traité en tant que 100 % en poids, est supérieure ou égale à 50 % en poids et inférieure à 95 % en poids, et la première couche électrode comprend B et/ou Si; et la proportion d'Al incluse dans la seconde couché électrode, lorsque le total d'Al, de Ni, de B, et de Si est traité en tant que 100 % en poids, est supérieure ou égale à 90 % en poids, et la proportion d'Al incluse dans la seconde couche électrode est supérieure à la proportion de la somme d'Al et de Ni incluse dans la première couche électrode.
(JA) BaTiO系の半導体磁器組成物に卑金属系電極を焼付けで形成する上での表面抵抗の増大の問題を解決したPTC素子を提供する。 半導体磁器組成物にAl、Niの少なくとも一方を主成分とする卑金属系電極が焼付けにより形成されたPTC素子であって、 前記半導体磁器組成物は、BaTiO型酸化物からなるペロブスカイト構造を有し、 前記卑金属系電極は、前記半導体磁器組成物と接する第1層目の第1電極層と、前記第1電極層を被覆する第2層目の第2電極層を備え、 前記第1電極層に含まれるAlとNiの和の含有比率が、Al、Ni、B、Siの合計を100質量%としたときに50質量%以上95質量%未満であり、かつ、前記第1電極層はB、Siの少なくとも一方を含み、 前記第2電極層に含まれるAlの含有比率が、Al、Ni、B、Siの合計を100質量%としたときに90質量%以上であり、かつ、前記第2電極層に含まれるAlの含有比率が前記第1電極層に含まれるAlとNiの和の含有比率よりも大きいことを特徴とするPTC素子。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)