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1. (WO2015115396) SIGE PHOTODIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115396    International Application No.:    PCT/JP2015/052117
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 27.01.2015
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
Applicants: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION [JP/JP]; 1-20-10, Sekiguchi, Bunkyo-ku, Tokyo 1120014 (JP)
Inventors: FUJIKATA, Junichi; (JP).
MIURA, Makoto; (JP)
Agent: ONO, Shinjiro; (JP)
Priority Data:
2014-016460 31.01.2014 JP
Title (EN) SIGE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À BASE DE SILICIUM-GERMANIUM
(JA) SiGeフォトダイオード
Abstract: front page image
(EN)Provided is a SiGe photodiode that has high incident photon-to-current conversion efficiency and has superior operating characteristics at high frequencies. A SiGe photodiode (100) is provided with: a P-type semiconductor layer (102) having a first region (102a) and a second region (102b) located below the first region (102a); an I-type semiconductor layer (103) formed on the first region (102a) of the P-type semiconductor layer (102); and an N-type semiconductor layer (104) formed on the I-type semiconductor layer (103). The concentration of impurities in the first region (102a) is lower than that in the second region (102b).
(FR)Cette invention concerne une photodiode à base de SiGe présentant un haut rendement quantique externe (IPCE) et des caractéristiques de fonctionnement supérieures à haute fréquence. Une photodiode à base de SiGe (100) comprend : une couche de semi-conducteur de type P (102) présentant une première région (102a) et une seconde région (102b) disposée en dessous de la première région (102a) ; une couche de semi-conducteur de type I (103) formée sur la première région (102a) de la couche de semi-conducteur de type P (102) ; et une couche de semi-conducteur de type N (104) formée sur la couche de semi-conducteur de type I (103). La concentration en impuretés de la première région (102a) est inférieure à celle de la seconde région (102b).
(JA) 高い光電変換効率を有するとともに高周波での動作特性に優れたSiGeフォトダイオードを提供する。 SiGeフォトダイオード100は、第1領域102a及び第1領域102aの下部に位置する第2領域102bを有するp型半導体層102と、p型半導体層102の第1領域102a上に形成されたi型半導体層103と、i型半導体層103上に形成されたn型半導体層104と、を備え、第1領域102aの不純物濃度が第2領域102bの不純物濃度よりも低濃度である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)