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1. (WO2015115360) SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115360    International Application No.:    PCT/JP2015/052006
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 26.01.2015
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01)
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventors: SHIGEMATSU, Masato; .
HAYASHI, Naofumi;
Agent: NII Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg., 3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2014-014603 29.01.2014 JP
Title (EN) SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池
Abstract: front page image
(EN)A solar cell (1) comprising the following: a first-conductivity-type or second-conductivity-type semiconductor substrate (10n) that has a light-receiving surface and a back surface (12); a first-conductivity-type first semiconductor layer (20n) formed on said back surface (12); a second-conductivity-type second semiconductor layer (30p) also formed on said back surface (12); a first electrode (50n) that is electrically connected to the first semiconductor layer (20n); a second electrode (50p) that is electrically connected to the second semiconductor layer (30p); and an insulating layer (40) provided in a boundary region (R) between a first-conductivity-type region (Rn) where the first semiconductor layer (20n) is provided and a second-conductivity-type region (Rp) where the second semiconductor layer (30p) is provided. The side of the insulating layer (40) facing the second-conductivity-type region (Rp) has a sloped surface (40a) that is sloped such that the thickness of the insulating layer (40) decreases with decreasing distance from the second-conductivity-type region (Rp). The width (W) of said sloped surface (40a) in the direction, perpendicular to the thickness direction, in which the second-conductivity-type region (Rp) lies is 10 to 300 times the thickness (T) of the part of the insulating layer (40) where the sloped surface (40a) is not formed.
(FR)La présente invention concerne une cellule solaire (1) comprenant : un substrat semi-conducteur (10n) d'un premier type de conductivité ou d'un second type de conductivité, qui présente une surface de réception de lumière et une surface arrière (12) ; une première couche semi-conductrice (20n) d'un premier type de conductivité, formée sur ladite surface arrière (12) ; une seconde couche semi-conductrice (30p) d'un second type de conductivité, également formée sur ladite surface arrière (12) ; une première électrode (50n) qui est électriquement connectée à la première couche semi-conductrice (20n) ; une seconde électrode (50p) qui est électriquement connectée à la seconde couche semi-conductrice (30p) ; et une couche isolante (40) disposée dans une région (R) limite entre une région (Rn) d'un premier type de conductivité où la première couche semi-conductrice (20n) est disposée et une région (Rp) d'un second type de conductivité où la seconde couche semi-conductrice (30p) est disposée. Le côté de la couche isolante (40), en regard de la région (Rp) d'un second type de conductivité, présente une surface inclinée (40a) qui est inclinée de sorte que l'épaisseur de la couche isolante (40) décroisse lorsque la distance diminue depuis la région (Rp) d'un second type de conductivité. La largeur (W) de ladite surface inclinée (40a) dans le sens, perpendiculaire au sens de l'épaisseur, dans lequel la région (Rp) d'un second type de conductivité se situe, est 10 à 300 fois l'épaisseur (T) de la partie de la couche isolante (40) où la surface inclinée (40a) n'est pas formée.
(JA)受光面と裏面12とを有する第1導電型または第2導電型の半導体基板10nと、裏面12上に形成される第1導電型を有する第1半導体層20nと、裏面12上に形成される第2導電型を有する第2半導体層30pと、第1半導体層20nと電気的に接続された第1電極50nと、第2半導体層30pと電気的に接続された第2電極50pと、第1半導体層20nが設けられる第1導電型領域Rnと第2半導体層30pが設けられる第2導電型領域Rpの境界領域Rに設けられる絶縁層40とを備える太陽電池1であって、絶縁層40の第2導電型領域Rp側の側面が、第2導電型領域Rpに近づくにつれて厚みが薄くなるように傾斜した傾斜面40aを有しており、厚み方向に垂直でかつ第2導電型領域Rpに向かう方向における傾斜面40aの幅Wが、傾斜面40aが形成されていない部分における絶縁層40の厚みTの10~300倍の範囲内である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)