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1. (WO2015115341) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115341    International Application No.:    PCT/JP2015/051943
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 20.01.2015
IPC:
H01L 33/56 (2010.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
Inventors: YOSHIKAWA, Gaku; (JP).
TAKASHIMA, Masayuki; (JP)
Agent: NAKAYAMA, Tohru; (JP)
Priority Data:
2014-016590 31.01.2014 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体発光装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor light emitting device that comprises, as constituent members, a substrate, an element and a sealing material. This method for manufacturing a semiconductor light emitting device comprises: a first step for arranging an element on a substrate; a second step for disposing a sealing material before curing on the substrate so as to cover the element for the purpose of potting; and a third step for curing the sealing material disposed for the purpose of potting so that all the conditions (1), (2) and (3) described below are satisfied if AbsA(t), AbsB(t) and AbsC(t) are respective absorbances of a sealing material, which has a thickness (t) [mm] after curing, at wavelengths of 380 nm, 316 nm and 260 nm and T(t) is the light transmittance of the sealing material at a wavelength of 380 nm. (1) T(1.7) ≥ 90% (2) AbsB(t) - AbsA(t) < 0.011t (3) Absc(t) - AbsA(t) < 0.125t
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif émetteur de lumière à semi-conducteurs comprenant comme éléments constitutifs un substrat, un élément et un matériau d'étanchéité. Ce procédé de fabrication de dispositif émetteur de lumière à semi-conducteurs comprend : une première étape consistant à disposer un élément sur un substrat ; une deuxième étape consistant à disposer un matériau d'étanchéité avant le durcissement du substrat afin de couvrir l'élément destiné à l'enrobage ; et une troisième étape consistant à faire durcir le matériau d'étanchéité destiné à l'enrobage de manière à ce que les conditions (1), (2) et (3) décrites ci-dessous soient respectées où AbsA(t), AbsB(t) et AbsC(t) sont les absorbances respectives d'un matériau d'étanchéité ayant une épaisseur après durcissement de (t) [mm], à des longueurs d'ondes de 380 nm, 316 nm et 260 nm et où T(t) est le coefficient de transmission du matériau d'étanchéité à une longueur d'ondes de 380 nm. (1) T(1,7) ≥ 90% (2) AbsB(t) - AbsA(t) < 0,011t (3) Absc(t) - AbsA(t) < 0,125t
(JA)構成部材として基板と素子と封止材とを含む半導体発光装置の製造方法であり、基板に素子を設置する第1工程と、硬化前の封止材を、素子を覆うように基板上にポッティングする第2工程と、ポッティングされた封止材を、硬化後の厚みt[mm]の封止材が有する380nm、316nm及び260nmの各波長における吸光度をそれぞれAbs(t)、Abs(t)及びAbs(t)とし、380nmにおける光の透過率をT(t)とした場合、下記式(1)、(2)及び(3)を全て満たすように硬化させる第3工程とを含む製造方法。(1) T(1.7)≧90% (2) Abs(t)-Abs(t)<0.011t (3) Abs(t)-Abs(t)<0.125t
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)