WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
1. (WO2015115314) GAS BARRIER FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115314    International Application No.:    PCT/JP2015/051772
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 23.01.2015
B32B 9/00 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01)
Applicants: TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666 (JP)
Inventors: MORI, Kentaro; (JP)
Priority Data:
2014-014052 29.01.2014 JP
(JA) ガスバリア性フィルム
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a gas barrier film which exhibits high gas barrier performance, while having excellent bending resistance. A gas barrier film according to the present invention sequentially comprises, on at least one surface of a polymer base, an inorganic layer (A) and a silicon compound layer (B) in this order from the polymer base side. The silicon compound layer (B) contains at least silicon compounds having structures represented by SiNxHy, SiOpNq and SiOa(OH)4-2a (wherein x + y = 4, p + q =4, a < 2 and x, y, p, q > 0); and the inorganic layer (A) and the silicon compound layer (B) are in contact with each other.
(FR)L'objet de la présente invention est de proposer un film barrière contre les gaz qui présente une performance de barrière contre les gaz élevée tout en présentant une excellente résistance à la flexion. Un film barrière contre les gaz selon la présente invention comprend de manière séquentielle, sur au moins une surface d'une base polymère, une couche inorganique (A) et une couche de composé de silicium (B) dans cet ordre à partir du côté base polymère. La couche de composé de silicium (B) contient au moins des composés de silicium présentant des structures représentées par SiNxHy, SiOpNq et SiOa(OH)4-2a (où x + y = 4, p + q =4, a < 2 et x, y, p, q > 0) ; et la couche inorganique (A) et la couche de composé de silicium (B) sont en contact l'une avec l'autre.
(JA) 本発明は、高度なガスバリア性を有し、かつ、耐屈曲性に優れたガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。 本発明のガスバリアフィルムは、高分子基材の少なくとも片側に、無機層[A]とケイ素化合物層[B]とを前記高分子基材側からこの順に有するガスバリア性フィルムであって、ケイ素化合物層[B]が、少なくともSiN、SiO、SiO(OH)4-2a(x+y=4、p+q=4、a<2 x,y,p,q>0)で表される構造を有するケイ素化合物を含み、かつ無機層[A]とケイ素化合物層[B]が接しているガスバリア性フィルム。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)