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1. (WO2015115249) STRUCTURE AND FILM-FORMING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115249    International Application No.:    PCT/JP2015/051373
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 20.01.2015
IPC:
B32B 15/08 (2006.01), B32B 15/082 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), G02B 5/08 (2006.01)
Applicants: SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo Kuwabara-cho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP)
Inventors: ICHIOKA Akina; (JP).
YOSHIMUTA Toshinori; (JP).
TOKUDA Satoshi; (JP).
IMAI Daisuke; (JP).
OZAKI Satoru; (JP).
TOKUTAKA Yuu; (JP)
Agent: OTSUBO Takashi; (JP)
Priority Data:
2014-015150 30.01.2014 JP
2014-123445 16.06.2014 JP
Title (EN) STRUCTURE AND FILM-FORMING METHOD
(FR) STRUCTURE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 構造体および成膜方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention pertains to: a structure in which a resin and a metal thin film are laminated with strong adhesion even when the resin is a methacrylic resin or other resin that exhibits low adhesiveness to the metal thin film; and a film-forming method capable of producing a structure in which a metal thin film is formed with high adhesion on a work made of a resin that exhibits low adhesiveness to the metal thin film. The structure is a structure which is obtained by forming an Al thin film (102) by sputtering on a work (W) made of a methacrylic resin and thus laminating the work (W) and the Al thin film (102) and which has a mixed region (101) where Al, Si, O and C are mixedly present between the work (W) and the Al thin film (102). In the mixed region (101), Al is covalently bonded to Si, O or C, or forms a diffusively mixed layer together with Si, O or C.
(FR)La présente invention concerne : une structure dans laquelle une résine et un film mince métallique sont stratifiés avec une forte adhérence, même lorsque la résine est une résine méthacrylique ou une autre résine qui présente une faible aptitude à l'adhérence au film mince métallique ; et un procédé de formation de film capable de produire une structure dans laquelle un film mince métallique est formé avec une forte adhérence sur une œuvre constituée d'une résine qui présente une faible aptitude à l'adhérence au film mince métallique. La structure est une structure obtenue par la formation d'un film mince d'Al (102) par pulvérisation sur une œuvre (W) composée d'une résine méthacrylique et par stratification, de cette façon, du travail (W) et du film mince d'Al (102) et qui présente une région mélangée (101) dans laquelle de l'Al, du Si, de l'O et du C sont présents de manière mélangée entre le travail (W) et le film mince d'Al (102). Dans la région mélangée (101), de l'Al est lié de manière covalente au Si, à l'O ou au C ou forme une couche mélangée de manière diffuse avec du Si, de l'O ou du C.
(JA) メタクリル系樹脂等の金属薄膜との密着性が低い樹脂を使用した場合においても、樹脂と金属薄膜とが強固に密着して積層っされた構造体、および、金属薄膜との密着性が低い樹脂製のワークに対して金属薄膜を高い密着性を持って製膜させた構造体を製造することが可能な成膜方法であり、メタクリル樹脂製のワークWに対してスパッタリング法でAl薄膜102が形成され、ワークWとAl薄膜102とが積層された構造体であって、ワークWとAl薄膜102との間に、Al、Si、O、Cが混在する混在領域101を有する。混在領域101においては、AlがSi、O、Cのいずれかと共有結合し、あるいは、AlとSi、O、Cとが拡散混合層を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)