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1. (WO2015115237) SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115237    International Application No.:    PCT/JP2015/051286
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 19.01.2015
IPC:
H01B 5/14 (2006.01), B32B 7/02 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), G06F 3/041 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP)
Inventors: KUCHIYAMA, Takashi; (JP).
HAYAKAWA, Hironori; (JP).
UEDA, Hiroaki; (JP).
MOTOHARA, Yuji; (JP).
YAMAMOTO, Kenji; (JP)
Agent: SHINTAKU, Masato; (JP)
Priority Data:
2014-013603 28.01.2014 JP
Title (EN) SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT AVEC ÉLECTRODE TRANSPARENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 透明電極付き基板およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a substrate with a transparent electrode, which is capable of achieving both acceleration of crystallization during a heat treatment and suppression of crystallization in a normal temperature environment. This substrate with a transparent electrode is obtained by forming a transparent electrode thin film (300), which is formed of a transparent conductive oxide, on a film substrate (100). A base layer (200) that contains a metal oxide as a main component is formed between the film substrate (100) and the transparent electrode thin film (300). The base layer (200) and the transparent electrode thin film (300) are in contact with each other. The transparent electrode thin film (300) is amorphous, while the base layer (200) is dielectric and crystalline.
(FR)La présente invention concerne un substrat avec une électrode transparente, apte à réaliser à la fois une accélération et une cristallisation au cours d'un traitement thermique et la suppression de la cristallisation dans un environnement à température normale. Ledit substrat comprenant une électrode transparente est fabriqué en formant une couche mince d'électrode transparente (300) qui est faite d'un oxyde conducteur transparent, sur un substrat en forme de film (100). Une couche de base (200) qui contient un oxyde de métal en tant que constituant principal est formée entre le substrat en forme de film (100) et la couche mince d'électrode transparente (300). Ladite couche de base (200) et la couche mince d'électrode transparente (300) sont en contact mutuel. La couche mince d'électrode transparente (300) est amorphe tandis que la couche de base (200) est diélectrique et cristalline.
(JA) 本発明は、熱処理時の結晶化促進および常温環境下での結晶化抑制を同時に達成可能な透明電極付き基板を提供する。 透明電極付き基板は、フィルム基板(100)上に、透明導電性酸化物からなる透明電極薄膜(300)が形成されている。上記フィルム基板(100)と上記透明電極薄膜(300)との間には、金属酸化物を主成分として含有する下地層(200)が形成されている。上記下地層(200)と上記透明電極薄膜(300)とは接している。上記透明電極薄膜(300)は非晶質であり、上記下地層(200)は誘電体かつ結晶質である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)