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1. (WO2015115031) METHOD FOR RECOVERING AND PURIFYING ARGON GAS FROM SINGLE-CRYSTAL-SILICON PRODUCTION DEVICE, AND DEVICE FOR RECOVERING AND PURIFYING ARGON GAS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/115031    International Application No.:    PCT/JP2015/000128
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 14.01.2015
IPC:
C01B 23/00 (2006.01), B01D 53/04 (2006.01), B01D 53/28 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: MATSUSHIMA, Hideaki; (JP).
ONOZAWA, Ichiro; (JP).
YAJIMA, Wataru; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Priority Data:
2014-014391 29.01.2014 JP
Title (EN) METHOD FOR RECOVERING AND PURIFYING ARGON GAS FROM SINGLE-CRYSTAL-SILICON PRODUCTION DEVICE, AND DEVICE FOR RECOVERING AND PURIFYING ARGON GAS
(FR) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION ET DE PURIFICATION DE GAZ ARGON À PARTIR D'UN DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET DISPOSITIF DE RÉCUPÉRATION ET DE PURIFICATION DE GAZ ARGON
(JA) シリコン単結晶製造装置からのアルゴンガス回収精製方法及びアルゴンガス回収精製装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a method for recovering and purifying argon gas from a single-crystal-silicon production device and a device for recovering and purifying argon gas, the method for recovering and purifying argon gas comprising a step in which waste argon gas, from a single-crystal-silicon production device, containing nitrogen, oxygen, and carbon monoxide is introduced into a waste-argon gas storage tank, a step in which solid matter contained in the waste argon gas is removed with pretreatment equipment for removing the solid matter, a step in which by catalytic reactions, the oxygen and the carbon monoxide are converted into water and carbon dioxide, respectively, and a step in which the water, the carbon dioxide, and the nitrogen are removed to obtain a recovery gas, wherein the catalytic reactions are made to proceed only with compressive heat by placing a catalyst in a two-stage compressor and, in the step of obtaining a recovery gas, the water is removed beforehand with a drier and thereafter the nitrogen and the carbon dioxide are adsorptively removed in a normal-temperature adsorption tower. Due to the method for recovering and purifying argon gas, impurity gases contained in the argon gas discharged in a large amount from a single-crystal-silicon production device can be stably removed using simple and inexpensive equipment.
(FR)La présente invention concerne un procédé de récupération et de purification de gaz argon à partir d'un dispositif de production de silicium monocristallin, et un dispositif de récupération et de purification de gaz argon. Ledit procédé de récupération et de purification de gaz argon comprend les étapes suivantes : une étape au cours de laquelle un gaz argon résiduaire, provenant d'un dispositif de production de silicium monocristallin, contenant de l'azote, de l'oxygène, et du monoxyde de carbone, est introduit dans un réservoir de stockage de gaz argon résiduaire; une étape au cours de laquelle les matières solides contenues dans le gaz argon résiduaire sont retirées avec un équipement de prétraitement destiné à éliminer les matières solides; une étape au cours de laquelle, par des réactions catalytiques, l'oxygène et le monoxyde de carbone sont convertis en eau et en dioxyde de carbone, respectivement; et une étape au cours de laquelle l'eau, le dioxyde de carbone et l'azote sont retirés pour donner un gaz de récupération. Les réactions catalytiques sont réalisées pour se dérouler uniquement avec une chaleur de compression, en plaçant un catalyseur dans un compresseur à deux étages. Lors de l'étape d'obtention d'un gaz de récupération, l'eau est retirée préalablement avec un séchoir, puis l'azote et le dioxyde de carbone sont retirés par adsorption dans une tour d'adsorption à température normale. Grâce au procédé de récupération et de purification du gaz argon, les gaz d'impureté contenus dans le gaz argon évacué en grande quantité depuis le dispositif de production de silicium monocristallin peuvent être retirés de manière stable au moyen d'un équipement simple et bon marché.
(JA) 本発明は、シリコン単結晶製造装置から窒素、酸素及び一酸化炭素を含む廃アルゴンガスを廃アルゴンガス貯槽に導入する工程、前記廃アルゴンガス中の固形物を除去する前処理設備で、前記固形物を除去する工程、触媒反応により、前記酸素を水に、前記一酸化炭素を二酸化炭素にそれぞれ転化する工程、及び前記水、前記二酸化炭素及び前記窒素を除去し、回収ガスを得る工程を有するアルゴンガス回収精製方法であって、前記触媒反応を二段圧縮機内に触媒を配置することで圧縮熱のみで行い、前記回収ガスを得る工程において、予めドライヤーで前記水を除去してから常温吸着塔で前記窒素、前記二酸化炭素を吸着除去するアルゴンガス回収精製方法及びアルゴンガス回収精製装置である。これにより、シンプルで低コストとなる設備を用いてシリコン単結晶製造装置から排出された大風量のアルゴンガスに含まれる不純ガスを安定的に除去できるアルゴンガス回収精製方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)