WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015114961) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/114961    International Application No.:    PCT/JP2014/082790
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 11.12.2014
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C30B 25/16 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: GENBA, Jun; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2014-017501 31.01.2014 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: a silicon carbide epitaxial substrate which has good surface properties and in which the background concentration of a nitrogen atom is sufficiently reduced; and a method for producing the silicon carbide epitaxial substrate. The silicon carbide epitaxial substrate (10) is equipped with a base substrate (1) which has face C as the main surface and a silicon carbide epitaxial layer (2) which is arranged on the face C of the base substrate (1). The silicon carbide epitaxial layer (2) contains a layer in which the background concentration of a nitrogen atom is 3 × 1015 cm-3 or less. The production method comprises a step of forming a silicon carbide epitaxial layer (2) on face C of a silicon carbide base substrate (1). In the step of forming the silicon carbide epitaxial layer (2), the ratio (i.e., C/Si) of the number of carbon atoms to the number of silicon atoms in a raw material gas is 1.7 to 2.1 inclusive and the epitaxial growth temperature is 1600 to 1800ºC inclusive.
(FR)L'invention concerne : un substrat épitaxial en carbure de silicium qui possède de bonnes propriétés de surface et dans lequel la concentration de fond en atome d'azote est suffisamment réduite; et un procédé de fabrication dudit substrat épitaxial en carbure de silicium. Le substrat épitaxial (10) en carbure de silicium est équipé d'un substrat de base (1) qui possède une face C comme surface principale et une couche épitaxiale (2) en carbure de silicium qui est disposée sur la face C du substrat de base (1). La couche épitaxiale (2) en carbure de silicium contient une couche dans laquelle la concentration de fond en atome d'azote est inférieure ou égale à 3 × 1015 cm-3. Le procédé de fabrication comprend une étape de formation d'une couche épitaxiale (2) en carbure de silicium sur la face C d'un substrat de base (1) en carbure de silicium. Lors de l'étape de formation de la couche épitaxiale (2) en carbure de silicium, le rapport (c'est-à-dire C/Si) du nombre d'atomes de carbone au nombre d'atomes de silicium dans un gaz de matière première est de 1,7 à 2,1 inclus, et la température de croissance épitaxiale est de 1600 à 1800 °C inclus.
(JA) 表面性状が良好であり、かつ窒素原子のバックグラウンド濃度が十分に低減されている炭化珪素エピタキシャル基板および、その製造方法を提供する。炭化珪素エピタキシャル基板(10)は、C面を主表面として有するベース基板(1)と、ベース基板(1)のC面上に配置された炭化珪素エピタキシャル層(2)とを備える。炭化珪素エピタキシャル層(2)は、窒素原子のバックグラウンド濃度が3×1015cm-3以下である層を含む。製造方法は、炭化珪素ベース基板(1)のC面上に炭化珪素エピタキシャル層(2)を形成する工程を備える。炭化珪素エピタキシャル層(2)を形成する工程において、原料ガス中の珪素原子数に対する炭素原子数の比C/Siが1.7以上かつ2.1以下であり、エピタキシャル成長温度は、1600℃以上1800℃以下の範囲である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)