WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015114936) LIGHT EMITTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/114936    International Application No.:    PCT/JP2014/081643
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 28.11.2014
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: EL-SEED CORPORATION [JP/JP]; 3-1804-2, Umegaoka, Tenpaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4680004 (JP)
Inventors: KITANO, Tsukasa; (JP).
NANIWAE, Koichi; (JP).
OHYA, Masaki; (JP).
KAMIYAMA, Satoshi; (JP).
ITO, Hiroaki; (JP)
Agent: SHIGEIZUMI, Tatsushi; (JP)
Priority Data:
2014-016237 30.01.2014 JP
2014-124300 17.06.2014 JP
Title (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子
Abstract: front page image
(EN)Provided is a light emitting element capable of suppressing generation of voids in a semiconductor without deteriorating crystal qualities of the semiconductor. This light emitting element is provided with: a sapphire substrate having recesses and projections that are formed to be scattered in a surface at a pitch of 1 μm or less; and a semiconductor laminated section formed on the surface of the sapphire substrate, said semiconductor laminated section including a light emitting layer, and being formed of a III nitride semiconductor. At the interface between the sapphire substrate and the semiconductor laminated section, there are diffraction operations of light emitted from the light emitting layer. The density of voids having a size smaller than the pitch of the recesses or projections, said voids being in the semiconductor laminated section close to the sapphires substrate, is set at 1.0×102/cm2-2.3×107/cm2.
(FR)Cette invention concerne un élément électroluminescent apte à supprimer la génération de vides dans un semi-conducteur sans détériorer les qualités cristallines du semi-conducteur. Ledit élément électroluminescent comprend : un substrat à base de saphir présentant des creux et des saillies qui sont formés de manière à être dispersés sur une surface à un pas inférieur ou égal à 1 μm ; et une section de semi-conducteur stratifiée formée sur la surface du substrat de saphir, ladite section de semi-conducteur stratifiée comprenant une couche électroluminescente et étant faite d'un semi-conducteur de nitrure III. Des opérations de diffraction de la lumière émise par la couche électroluminescente se produisent à l'interface entre le substrat de saphir et la section de semi-conducteur stratifiée. La densité des vides dont la taille est inférieure au pas des creux ou des saillies, lesdits vides étant situés dans la section stratifiée de semi-conducteur proche du substrat de saphir, est déterminée de telle manière qu'elle va de 1,0×102/cm2 à 2,3×107/cm2.
(JA)半導体の結晶品質を損なうことなく、半導体中のボイドの発生を抑制することのできる発光素子を提供する。表面に1μm以下の周期で点在する凹部又は凸部が形成されるサファイア基板と、前記サファイア基板の表面上に形成され発光層を含みIII族窒化物半導体からなる半導体積層部と、を備え、前記サファイア基板と前記半導体積層部の界面にて前記発光層から発せられる光の回折作用を得る発光素子において、前記半導体積層部の前記サファイア基板近傍における、前記凹部又は凸部の周期より小さなサイズのボイドの密度を1.0×10/cm以上で2.3×10/cm以下とした。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)