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1. (WO2015114789) POWER CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/114789    International Application No.:    PCT/JP2014/052198
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 31.01.2014
IPC:
H02M 1/08 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventors: MORI Kazuhisa; (JP).
ISHIKAWA Katsumi; (JP).
HATANAKA Ayumu; (JP).
MASUDA Toru; (JP).
KAGEYAMA Hiroshi; (JP)
Agent: INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Priority Data:
Title (EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE
(JA) 電力変換装置
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to reduce dead time by reliably detecting the turning-off of a MOSFET during a reflux period without requiring a sensing element or a level shift circuit. A power conversion device is configured from a series connection of a first circuit and a second circuit, said first circuit including a first MOSFET and an inversely parallel-connected first diode and said second circuit including a second MOSFET and an inversely parallel-connected second diode. The power conversion device comprises: a first current detection unit for detecting current flowing through the first MOSFET; a second current detection unit for detecting current flowing through the first diode; and a first determination unit for determining that the first MOSFET is turned off on the basis of a difference between the current flowing through the first MOSFET and the current flowing through the first diode in a period when the current flows through the first MOSFET in a reverse conducting direction. When the first determination unit determines that the first MOSFET has been turned off, a second drive circuit for driving the second MOSFET turns on the second MOSFET.
(FR)La présente invention a pour objet de réduire le temps mort par une détection fiable de la désactivation d'un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET pour Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) pendant une période de reflux sans avoir besoin d'un élément de détection ou d'un circuit de décalage de niveau. Un dispositif de conversion d'énergie est composé d'un montage en série d'un premier circuit et d'un second circuit, ledit premier circuit comprenant un premier transistor MOSFET et une première diode raccordée inversement en parallèle et ledit second circuit comprenant un second transistor MOSFET et une seconde diode raccordée inversement en parallèle. Le dispositif de conversion d'énergie comprend : une première unité de détection de courant destinée à détecter un courant qui circule à travers le premier transistor MOSFET ; une seconde unité de détection de courant destinée à détecter un courant qui circule à travers la première diode ; et une première unité de détermination destinée à déterminer que le premier transistor MOSFET est désactivé sur la base d'une différence entre le courant qui circule à travers le premier transistor MOSFET et le courant qui circule à travers la première diode pendant une période pendant laquelle le courant circule à travers le premier transistor MOSFET dans une direction de conduction opposée. Lorsque la première unité de détermination détermine que le premier transistor MOSFET a été désactivé, un second circuit d'attaque destiné à attaquer le second transistor MOSFET active le second transistor MOSFET.
(JA)センス素子やレベルシフト回路を必要とせずに、環流期間におけるMOSFETのオフを確実に検出してデッドタイム低減を実現することを目的として、第一のMOSFETと逆並列に接続された第一のダイオードとで構成される第一の回路と,第二のMOSFETと逆並列に接続された第二のダイオードとで構成される第二の回路とが直列接続されて構成される電力変換装置は、前記第一のMOSFETの電流を検出する第一の電流検出部と,前記第一のダイオードの電流を検出する第二の電流検出部と,前記第一のMOSFETの電流が逆導通方向である期間に前記第一のMOSFETの電流と前記第一のダイオードの電流との差から前記第一のMOSFETがオフしたことを判定する第一の判定部とを備え、前記第一の判定部が前記第一のMOSFETがオフしたと判定した場合に、前記第二のMOSFETを駆動する第二の駆動回路は前記第二のMOSFETをオンさせる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)