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1. (WO2015114758) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/114758    International Application No.:    PCT/JP2014/051982
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 29.01.2014
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Applicants: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118668 (JP)
Inventors: IGARASHI, Takayuki; (JP).
FUNAYA, Takuo; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)To improve characteristics of a semiconductor device. This semiconductor device has: a coil (CL1) and wiring (M2), which are formed on an interlayer insulating film (IL2); wiring (M3) formed on the interlayer insulating film (IL3); and a coil (CL2) and wiring (M4), which are formed on the interlayer insulating film (IL4). A distance (DM4) between the coil (CL2) and the wiring (M4) is larger than a distance (DM3) between the coil (CL2) and the wiring (M3) (DM4>DM3). Furthermore, the distance (DM3) between the coil (CL2) and the wiring (M3) is equal to or more than a sum of a film thickness of the interlayer insulating film (IL3) positioned between the coil (CL1) and the coil (CL2), and a film thickness of the interlayer insulating film (IL4). Consequently, a withstand voltage of regions, such as a region between the coil (CL2) and the wiring (M4), can be improved, said regions being susceptible to generating a large voltage difference. Furthermore, a seal ring forming region (1C) that surrounds a transformer forming region (1A) and a peripheral circuit forming region (1B) is provided, and moisture resistance is improved.
(FR)La présente invention a pour objectif d'améliorer les caractéristiques d'un dispositif à semi-conducteurs. Le dispositif à semi-conducteurs possède : une bobine (CL1) et un câblage (M2), formés sur un film isolant intercouche (IL2) ; un câblage (M3) formé sur le film isolant intercouche (IL3) ; et une bobine (CL2) et un câblage (M4) qui sont formés sur le film isolant intercouche (IL4). Une distance (DM4) entre la bobine (CL2) et le câblage (M4) est supérieure à une distance (DM3) entre la bobine (CL2) et le câblage (M3) (DM4>DM3). De plus, la distance (DM3) entre la bobine (CL2) et le câblage (M3) est égale ou supérieure à la somme d'une épaisseur de film du film isolant intercouche (IL3) placé entre la bobine (CL1) et la bobine (CL2) et d'une épaisseur de film du film isolant intercouche (IL4). Par conséquent, une tension de tenue de certaines régions, comme une région entre la bobine (CL2) et le câblage (M4), peut être améliorée, ces régions étant susceptibles de produire une grande différence de tension. De plus, l'invention concerne une région (1C) de formation d'anneau d'étanchéité qui entoure une région (1A) de formation de transformateur et une région (1B) de formation de circuit périphérique et la résistance à l'humidité est améliorée.
(JA) 半導体装置の特性を向上させる。半導体装置は、層間絶縁膜IL2上に形成されたコイルCL1および配線M2と、層間絶縁膜IL3上に形成された配線M3と、層間絶縁膜IL4上に形成されたコイルCL2および配線M4とを有する。そして、コイルCL2と配線M4との距離DM4は、コイルCL2と配線M3との距離DM3より大きい(DM4>DM3)。また、コイルCL2と配線M3との距離DM3は、コイルCL1とコイルCL2との間に位置する層間絶縁膜IL3の膜厚と層間絶縁膜IL4の膜厚との和以上である。これにより、高い電圧差が生じやすいコイルCL2と配線M4との間などの絶縁耐圧を向上させることができる。また、トランス形成領域1Aと、周辺回路形成領域1Bとを囲むシールリング形成領域1Cを設け、耐湿性の向上を図る。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)