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1. (WO2015114748) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/114748    International Application No.:    PCT/JP2014/051910
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 29.01.2014
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: NAKAMURA Katsumi; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
Title (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A drift region (1) has a first conductivity type. A well region is at least partially contained inside an interface area (AR2), has an edge between said interface area (AR2) and an edge-termination area (AR3), and has a second conductivity type. An extension region (9j) extends outwards from the well region, is shallower than the well region, and has the aforementioned second conductivity type. Field-limiting rings (9g) are provided in the edge-termination area (AR3), outside the extension region (9j). Each of said field-limiting rings (9g), together with the drift region (1) inwards of said field-limiting ring (9g), constitutes a unit structure (US1 through US6). The further outwards a given field-limiting ring (9g) is, the lower the ratio of the width of that field-limiting ring (9g) to the width of the corresponding unit structure (US1 through US6) is, and the further outwards a given unit structure (US1 through US6) is, the lower the mean dose of said unit structure (US1 through US6) is.
(FR)L'invention concerne une région de dérive (1) ayant un premier type de conductivité. Une région de puits est au moins partiellement contenue à l'intérieur d'une zone d'interface (AR2), a un bord entre ladite zone d'interface (AR2) et une zone de terminaison de bord (AR3), et a un second type de conductivité. Une région d'extension (9j) s'étend vers l'extérieur à partir de la région de puits, est plus superficielle que la région de puits, et a le second type de conductivité susmentionné. Des bagues de limitation de champ (9g) sont agencées dans la zone de terminaison de bord (AR3), à l'extérieur de la région d'extension (9j). Chacune desdites bagues de limitation de champ (9g), conjointement avec la région de dérive (1) vers l'intérieur de ladite bague de limitation de champ (9g) constitue une structure unitaire (US1 à US6). Plus une bague de limitation de champ (9g) donnée est vers l'extérieur, plus le rapport entre la largeur de cette bague de limitation de champ (9g) et la largeur de la structure unitaire correspondante (US1 à US6) est bas, et plus une structure unitaire (US1 à US6) donnée est vers l'extérieur, plus la dose moyenne de ladite structure unitaire (US1 à US6) est basse.
(JA) ドリフト領域(1)は第1の導電型を有する。ウエル領域は、少なくとも部分的にインタフェースエリア(AR2)に含まれ、インタフェースエリア(AR2)とエッジターミネーションエリア(AR3)との間に端部を有し、第2の導電型を有する。延長領域(9j)は、ウエル領域から外側へ延び、ウエル領域よりも浅く、第2の導電型を有する。フィールドリミッティングリング(9g)は、エッジターミネーションエリア(AR3)において延長領域(9j)の外側に設けられる。フィールドリミッティングリング(9g)のそれぞれは、内側に位置するドリフト領域(1)と共に単位構造(US1~US6)を構成している。フィールドリミッティングリング(9g)はより外側のものほど単位構造(US1~US6)の幅に対してより小さい割合の幅を有する。単位構造(US1~US6)はより外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)