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1. (WO2015114498) METHOD FOR THIN-FILM VIA SEGMENTS IN PHOTOVOLTAIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/114498    International Application No.:    PCT/IB2015/050555
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 26.01.2015
IPC:
H01L 31/0463 (2014.01), H01L 31/0749 (2012.01)
Applicants: FLISOM AG [CH/CH]; Ueberlandstrasse 129 CH-8600 Duebendorf (CH)
Inventors: ZILTENER, Roger; (CH).
NETTER, Thomas; (CH)
Priority Data:
PCT/IB2014/058708 31.01.2014 IB
PCT/EP2014/025031 31.12.2014 EP
Title (EN) METHOD FOR THIN-FILM VIA SEGMENTS IN PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR DES VIAS EN SEGMENT FORMÉS SUR DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE EN COUCHES MINCES
Abstract: front page image
(EN)A method for vias and monolithic interconnects in thin-film optoelectronic devices (100, 200) wherein at least one line segment via hole (163, 165, 165', 167) is formed by laser drilling and passes through front-contact layers (150, 152, 154, 156, 158) and semiconductive active layer (130), and wherein laser drilling causes forming a CIGS-type wall (132, 134, 136, 138) of elec¬ trically conductive permanently metalized copper-rich CIGS-type alloy at the inner surface (135) of the via hole, thereby forming a conductive path between at least a portion of front-contact and a portion of back-contact layers (120, 124, 126, 128, 129), forming a bump-shaped raised portion (155) at the surface of the front-contact layer, forming a raised portion (125, 127, 127') of the back-contact layer, and optionally forming a raised portion of copper-rich CIGS-type alloy (155') covering a portion of the front-contact layer (150). A thin-film CIGS device comprises at least one line segment via hole obtainable by the method.
(FR)L'invention concerne un procédé pour des vias et des interconnexions monolithiques dans des dispositifs opto-électroniques en couches minces (100, 200), au moins un via en segment de ligne (163, 165, 165', 167) étant formé par perçage au laser et passant à travers des couches de contact avant (150, 152, 154, 156, 158) et une couche active semi-conductrice (130) et le perçage au laser provoquant la formation d'une paroi de type CIGS (132, 134, 136, 138) d'un alliage de type CIGS riche en cuivre électroconducteur en permanence métallisé au niveau de la surface intérieure (135) du via, ce qui permet de former un chemin conducteur entre au moins une partie du contact avant et une partie des couches de contact arrière (120, 124, 126, 128, 129), formant une partie surélevée en forme de bosse (155) au niveau de la surface de la couche de contact avant, formant une partie surélevée (125, 127, 127') de la couche de contact arrière et formant, facultativement, une partie surélevée de l'alliage de type CIGS riche en cuivre (155') recouvrant une partie de la couche de contact avant (150). Un dispositif CIGS en couches minces comprend au moins un via en segment de ligne qui peut être obtenu par le procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)