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1. (WO2015114482) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SUPERLATTICE SIGE/SI FIN STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/114482    International Application No.:    PCT/IB2015/050335
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 16.01.2015
IPC:
H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101 (CN) (MG only)
Inventors: CHUN-CHEN, Yeh; (US).
VEERARAGHAVAN, Basker; (US).
YAMASHITA, Tenko; (US)
Agent: LITHERLAND, David; (GB)
Priority Data:
14/167,110 29.01.2014 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SUPERLATTICE SIGE/SI FIN STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE AILETTE À BASE DE SILICIUM-GERMANIUM/SILICIUM PRÉSENTANT UNE STRUCTURE EN SUPER-RÉSEAU
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (100) includes a semiconductor-on-insulator substrate (102) having an insulator layer (104), and at least one silicon germanium (SiGe) fin (122) having a superlattice structure. The SiGe fin (122) is formed on an upper surface of the insulator layer (104). A gate stack (108) is formed on an upper surface of the at least one silicon germanium fin (122). The gate stack (108) includes first and second opposing spacers (116) defining a gate length (1 GATE) therebetween. First and second epitaxial source/ drain structures (124, 126) are formed on the insulator layer (104). The first and second epitaxial source/drain structures (124, 126) extend beneath the spacers (116) to define a silicon germanium gate channel (132) beneath the gate stack (108).
(FR)Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100), comprenant un substrat de type semi-conducteur sur isolant (102) présentant une couche d'isolant (104), et au moins une ailette à base de silicium-germanium (SiGe) (122) présentant une structure en super-réseau. Ladite ailette à base de SiGe (122) est formée sur une surface supérieure de la couche d'isolant (104). Un empilement de grille (108) est formé sur une surface supérieure de ladite/desdites ailettes à base de silicium-germanium (122). Ledit empilement de grille (108) comprend un premier et un second (116) élément d'espacement opposés définissant une longueur de grille (1 GATE) entre ceux-ci. Une première et une seconde structure source/drain épitaxiées (124, 126) sont formées sur la couche d'isolant (104). Lesdites première et seconde structures source/drain épitaxiées (124, 126) s'étendent en dessous des éléments d'espacement (116) pour définir un canal de grille à base de silicium-germanium (132) en dessous de l'empilement de grille (108).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)