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1. (WO2015114476) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/114476    International Application No.:    PCT/IB2015/050264
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 14.01.2015
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: MATSUBAYASHI, Daisuke; (JP).
KOBAYASHI, Yoshiyuki; .
NAGATSUKA, Shuhei; .
SHIONOIRI, Yutaka;
Priority Data:
2014-013395 28.01.2014 JP
2014-120992 11.06.2014 JP
2014-161300 07.08.2014 JP
2014-209486 10.10.2014 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A transistor having favorable electrical characteristics. A transistor suitable for miniaturization. A transistor having a high switching speed. One embodiment of the present invention is a semiconductor device that includes a transistor. The transistor includes an oxide semiconductor, a gate electrode, and a gate insulator. The oxide semiconductor includes a first region in which the oxide semiconductor and the gate electrode overlap with each other with the gate insulator positioned therebetween. The transistor has a threshold voltage higher than 0 V and a switching speed lower than 100 nanoseconds.
(FR)L'invention concerne un transistor possédant des caractéristiques électriques favorables. L'invention concerne un transistor approprié pour la miniaturisation. L'invention concerne également un transistor possédant une vitesse élevée de commutation. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un transistor. Le transistor comprend un semi-conducteur à oxyde, une électrode de grille et un isolateur de grille. Le semi-conducteur à oxyde comprend une première région dans laquelle le semi-conducteur à oxyde et l'électrode de grille se chevauchent l'un l'autre avec l'isolateur de grille positionné entre eux. Le transistor possède une tension seuil supérieure à 0 V et une vitesse de commutation inférieure à 100 nanosecondes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)