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1. (WO2015113733) PREPARATION OF SEMICONDUCTOR FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/113733 International Application No.: PCT/EP2015/000049
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 14.01.2015
IPC:
H01L 21/368 (2006.01)
Applicants: MERCK PATENT GMBH[DE/DE]; Frankfurter Strasse 250 64293 Darmstadt, DE
Inventors: DESHMUKH, Ranjan Deepak; US
HOOKER, Rebekah; US
MISKIEWICZ, Pawel; GB
SCHNEIDER, Joerg J.; DE
NOWOTNY, Mathias; DE
Priority Data:
61/934,05631.01.2014US
Title (EN) PREPARATION OF SEMICONDUCTOR FILMS
(FR) PRÉPARATION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES
Abstract:
(EN) This invention relates to a precursor material, which can be decomposed to form semiconductors and metal oxides, or more generally, materials for electronic components. The precursors comprise metal complexes of hydroxamato ligands. The invention further relates to a preparation process for thin inorganic films comprising various metals (e.g. Cu/ln/Zn/Ga/Sn) and oxygen, selenium and/or sulfur. The thin films can be used in photovoltaic panels (solar cells), other semiconductor or electronic devices, and other applications using such films. The process uses molecular, metal containing precursor complexes with hydroxamato ligands. These can be combined in the process with chalcogenide sources or oxygen. Exemplarily, various metal oxides and copper-based chalcopyrites of the l-lll-VI2 type are prepared with high purity at low temperatures.
(FR) Cette invention concerne un matériau précurseur, qui peut être décomposé pour former des semi-conducteurs et des oxydes métalliques, ou plus généralement, des matériaux pour composants électroniques. Les précurseurs comprennent des complexes métalliques de ligands hydroxamates. L'invention concerne en outre un procédé de préparation de couches minces inorganiques comprenant divers métaux (par exemple Cu/In/Zn/Ga/Sn) et de l'oxygène, du sélénium et/ou du soufre. Les couches minces peuvent être utilisées dans des panneaux photovoltaïques (cellules solaires), d'autres dispositifs à semi-conducteurs ou électroniques, et d'autres applications utilisant de telles couches. Le procédé utilise des complexes moléculaires de précurseurs contenant un métal avec des ligands hydroxamates. Ces derniers peuvent être combinés dans le procédé avec des sources de chalcogénures ou de l'oxygène. À titre d'exemple, divers oxydes métalliques et chalcopyrites à base de cuivre du type I-III-VI2 sont préparés avec une haute pureté à basse température.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)