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1. (WO2015113685) METHOD FOR REMOVING DIELECTRIC LAYERS FROM SEMICONDUCTOR COMPONENTS BY MEANS OF A LASER BEAM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/113685    International Application No.:    PCT/EP2014/077248
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 10.12.2014
IPC:
B23K 26/40 (2014.01), B23K 26/06 (2014.01)
Applicants: ROFIN-BAASEL LASERTECH GMBH & CO. KG [DE/DE]; Petersbrunner Str. 1b 82319 Starnberg (DE)
Inventors: MAYERHOFER, Roland; (DE).
HENDEL, Richard; (DE).
ZHU, Wenjie; (DE)
Agent: SCHLÖGL, Markus; (DE)
Priority Data:
10 2014 101 235.6 31.01.2014 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM ABTRAGEN DIELEKTRISCHER SCHICHTEN VON HALBLEITERBAUELEMENTEN MITTELS EINES LASERSTRAHLS
(EN) METHOD FOR REMOVING DIELECTRIC LAYERS FROM SEMICONDUCTOR COMPONENTS BY MEANS OF A LASER BEAM
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE COUCHES DIÉLECTRIQUES DE COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN D'UN FAISCEAU LASER
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abtragen dielektrischer Schichten von Halbleiterbauelementen mittels eines Laserstrahls, bei dem die dielektrische Schicht mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, der beim Auftreffen auf die dieelektrische Schicht über seinen Querschnitt betrachtet eineim Wesentlichenhomogene Leistungsdichte aufweist.
(EN)The invention relates to a method for removing dielectric layers from semiconductor components by means of a laser beam. According to said method, the dielectric layer is irradiated with a laser beam which has, upon incidence on the dielectric layer, a substantially homogeneous power density over the laser beam cross-section.
(FR)L'invention concerne un procédé d'élimination de couches diélectriques de composants à semi-conducteur au moyen d'un faisceau laser, selon lequel la couche diélectrique est exposée à un faisceau laser, qui, lorsqu'il vient frapper la couche diélectrique, présente une densité de puissance sensiblement homogène observée sur toute sa section transversale.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)