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1. (WO2015113353) OVERVOLTAGE AND OVERCURRENT PROTECTION CIRCUIT AND MOBILE TERMINAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/113353    International Application No.:    PCT/CN2014/078366
Publication Date: 06.08.2015 International Filing Date: 26.05.2014
IPC:
H02J 7/00 (2006.01)
Applicants: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP., LTD. [CN/CN]; No.18 Haibin Road, Wusha, Chang'an Dongguan, Guangdong 523841 (CN)
Inventors: ZHANG, Jialiang; (CN).
WU, Kewei; (CN).
CHENG, Wenqiang; (CN).
HUANG, Dashuai; (CN).
HU, Yuanxiang; (CN)
Agent: SHENZHEN ZHONGYI PATENT AND TRADEMARK OFFICE; 4th Fl. west (P.O. Box No.5) Old Special Zone Newspaper Building No.1014 Shen Nan Rd C., Futian Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Priority Data:
201410043226.X 28.01.2014 CN
Title (EN) OVERVOLTAGE AND OVERCURRENT PROTECTION CIRCUIT AND MOBILE TERMINAL
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS ET CONTRE LES SURINTENSITÉS ET TERMINAL MOBILE
(ZH) 过压过流保护电路和移动终端
Abstract: front page image
(EN)Provided are an overvoltage and overcurrent protection circuit and a mobile terminal. The overvoltage and overcurrent protection circuit comprises a first-level protection circuit and a second-level protection circuit. The first-level protection circuit comprises a power supply end, a detection end, and a low potential interface end. The power supply end and the detection end are correspondingly connected to a positive electrode and a negative electrode of an electric core separately. The low potential interface end is connected to a grounding end of a charging and discharging interface. The second-level protection circuit comprises a high potential electric core end, a low potential electric core end, and a high potential interface end. The high potential electric core end is correspondingly connected to the positive pole and the negative pole of the electric core separately. The high potential interface end is externally connected to a power supply end of the charging and discharging interface. If overcurrent or overvoltage occurs, a charging and discharging loop can be cut off by controlling an MOS transistor by the first-level protection circuit, and the charging and discharging circuit can be further protected by means of a fuse provided by the second-level protection circuit. Further, even if the MOS transistor is damaged, the electric core and the charge and discharge circuit can be still protected by means of the fuse provided by the second-level protection circuit.
(FR)La présente invention concerne un circuit de protection contre les surtensions et contre les surintensités et un terminal mobile. Le circuit de protection contre les surtensions et contre les surintensités comprend un circuit de protection de premier niveau et un circuit de protection de second niveau. Le circuit de protection de premier niveau comprend une extrémité d'alimentation électrique, une extrémité de détection, et une extrémité d'interface à faible potentiel. L'extrémité d'alimentation électrique et l'extrémité de détection sont connectées de façon correspondante à une électrode positive et à une électrode négative d'un noyau électrique, séparément. L'extrémité d'interface à faible potentiel est connectée à une extrémité de mise à la terre d'une interface de charge et de décharge. Le circuit de protection de second niveau comprend une extrémité de noyau électrique à haut potentiel, une extrémité de noyau électrique à faible potentiel, et une extrémité d'interface à haut potentiel. L'extrémité de noyau électrique à haut potentiel est connectée de façon correspondante au pôle positif et au pôle négatif du noyau électrique, séparément. L'extrémité d'interface à haut potentiel est connectée extérieurement à une extrémité d'alimentation électrique de l'interface de charge et de décharge. Si une surintensité ou une surtension se produit, une boucle de charge et de décharge peut être coupée en commandant un transistor MOS par l'intermédiaire du circuit de protection de premier niveau, et le circuit de charge et de décharge peut en outre être protégé au moyen d'un fusible fourni par le circuit de protection de second niveau. En outre, même si le transistor MOS est endommagé, le noyau électrique et le circuit de charge et de décharge peuvent toujours être protégés au moyen du fusible fourni par le circuit de protection de second niveau.
(ZH)提供一种过压过流保护电路和移动终端;所述过压过流保护电路包括:一级保护电路,其包括电源端、检测端和低电位接口端;电源端和检测端分别与电芯的正极和负极对应连接,低电位接口端与充放电接口的地端连接;还包括:二级保护电路,其包括高电位电芯端、低电位电芯端和高电位接口端;高电位电芯端分别与所述电芯的正极和负极对应连接,高电位接口端外接所述充放电接口的电源端。如果过流或过压,可通过一级保护电路控制MOS管来断开充放电回路的同时,还可通过二级保护电路提供的熔丝进一步对充放电电路进行保护。进而即使MOS管损坏,仍然能够通过二级保护电路提供的熔丝对电芯以及充放电电路进行保护。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)