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1. (WO2015047731) METHOD OF ENABLING SEAMLESS COBALT GAP-FILL
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Pub. No.: WO/2015/047731 International Application No.: PCT/US2014/054989
Publication Date: 02.04.2015 International Filing Date: 10.09.2014
IPC:
H01L 21/205 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20
Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth
205
using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
Applicants:
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventors:
ZOPE, Bhushan N.; US
GELATOS, Avgerinos V.; US
ZHENG, Bo; US
LEI, Yu; US
FU, Xinyu; US
GANDIKOTA, Srinivas; US
YU, Sang Ho; US
ABRAHAM, Mathew; US
Agent:
PATTERSON, B. Todd; US
Priority Data:
61/883,48027.09.2013US
Title (EN) METHOD OF ENABLING SEAMLESS COBALT GAP-FILL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT UN COMBLEMENT DE ZONE D'OMBRE AU COBALT HOMOGÈNE
Abstract:
(EN) Methods for depositing a metal layer in a feature definition of a semiconductor device are provided. In one implementation, a method for depositing a metal layer for forming a semiconductor device is provided. The method comprises performing a cyclic metal deposition process to deposit a metal layer on a substrate and annealing the metal layer disposed on the substrate. The cyclic metal deposition process comprises exposing the substrate to a deposition precursor gas mixture to deposit a portion of the metal layer on the substrate, exposing the portion of the metal layer to either a plasma treatment process or hydrogen annealing process and repeating the exposing the substrate to a deposition precursor gas mixture and exposing the portion of the metal layer to either a plasma treatment process or hydrogen annealing process until a predetermined thickness of the metal layer is achieved.
(FR) L'invention concerne des procédés permettant de déposer une couche de métal dans une définition d'objet d'un dispositif à semi-conducteurs. Dans une mise en œuvre, l'invention concerne un procédé permettant de déposer une couche de métal afin de former un dispositif à semi-conducteurs. Le procédé comprend l'exécution d'un processus de dépôt de métal cyclique afin de déposer une couche de métal sur un substrat et la réalisation d'un recuit de la couche de métal disposée sur le substrat. Le processus de dépôt de métal cyclique comprend l'exposition du substrat à un mélange de gaz précurseur de dépôt afin de déposer une portion de la couche de métal sur le substrat, l'exposition de la portion de la couche de métal soit à un processus de traitement par plasma, soit à un processus de recuit à l'hydrogène et la répétition de l'exposition du substrat à un mélange de gaz précurseur et de l'exposition de la portion de la couche de métal soit à un processus de traitement par plasma, soit à un processus de recuit à l'hydrogène jusqu'à l'obtention d'une épaisseur prédéfinie de la couche de métal.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)