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1. (WO2015042199) METHOD AND APPARATUS FOR FORMING DEVICE QUALITY GALLIUM NITRIDE LAYERS ON SILICON SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/042199    International Application No.:    PCT/US2014/056172
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 17.09.2014
IPC:
C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01)
Applicants: ULTRATECH, INC. [US/US]; 3050 Zanker Road San Jose, CA 95134 (US)
Inventors: SUNDARAM, Ganesh; (US).
HAWRYLUK, Andrew, M.; (US).
STEARNS, Daniel; (US)
Agent: JONES, Allston, L.; (US)
Priority Data:
61/881,369 23.09.2013 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR FORMING DEVICE QUALITY GALLIUM NITRIDE LAYERS ON SILICON SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FORMATION DE COUCHES DE NITRURE DE GALLIUM DE QUALITÉ NÉCESSAIRE POUR UN DISPOSITIF SUR DES SUBSTRATS EN SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)Atomic Layer Deposition (ALD) is used for heteroepitaxial film growth at reaction temperatures ranging from 80-400°C. The substrate and film materials are preferably selected to take advantage of Domain Matched Epitaxy (DME). A laser annealing system is used to thermally anneal deposition layers after deposition by ALD. In preferred embodiments a silicon substrate is overlaid with an AIN nucleation layer and laser annealed. Thereafter a GaN device layers is applied over the AIN layer by an ALD process and then laser annealed. In a further example embodiment a transition layer is applied between the GaN device layer and the AIN nucleation layer. The transition layer comprises one or more different transition material layers each comprising a AlxGa1-x compound wherein the composition of the transition layer is continuously varied from AIN to GaN.
(FR)Selon l'invention, un dépôt en couches atomiques (ALD) est utilisé pour la croissance d'un film par hétéro-épitaxie à des températures de réaction allant de 80 à 400 °C. Les matériaux du substrat et du film sont de préférence choisis pour tirer profit de l'épitaxie à correspondance de domaines (DME). Un système de recuit laser est utilisé pour effectuer un recuit thermique des couches de dépôt après le dépôt par ALD. Dans des modes de réalisation préférés un substrat en silicium est recouvert d'une couche de nucléation en AlN et subit un recuit laser. Par la suite, des couches de dispositif en GaN sont appliquées sur la couche d'AlN par un processus d'ALD et subissent ensuite un recuit laser. Dans un autre mode de réalisation illustratif une couche de transition est appliquée entre la couche de dispositif en GaN et la couche de nucléation en AlN. La couche de transition comprend une ou plusieurs couches différentes de matériau de transition comportant chacune un composé d'AlxGa1-x, la composition de la couche de transition étant amenée à varier continuellement d'AlN à GaN.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)