WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015042151) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A CURRENT SPREADING LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/042151    International Application No.:    PCT/US2014/056098
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 17.09.2014
IPC:
H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/36 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01)
Applicants: CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703 (US)
Inventors: VAN BRUNT, Edward, Robert; (US).
PALA, Vipindas; (US).
CHENG, Lin; (US).
ZHANG, Qingchun; (US)
Agent: WITHROW, Benjamin, S.; Withrow & Terranova, P.L.L.C. 2530 Meridian Parkway Suite 300 Durham, North Carolina 27713 (US)
Priority Data:
14/032,718 20.09.2013 US
14/255,611 17.04.2014 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A CURRENT SPREADING LAYER
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE COUCHE D'ÉTALEMENT D'INTENSITÉ DE COURANT
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device includes a substrate, a drift layer over the substrate, a spreading layer over the drift layer, and a pair of junction implants in a surface of the spreading layer opposite the drift layer. An anode covers the surface of the spreading layer opposite the drift layer, and a cathode covers a surface of the substrate opposite the drift layer. By including the spreading layer, a better balance can be struck between the on state resistance of the semiconductor device and the peak electric field in the device, thereby improving the performance thereof.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend un substrat, une couche de dérive située sur le substrat, une couche d'étalement se trouvant sur la couche de dérive, ainsi qu'une paire d'implants de jonction dans une surface de la couche d'étalement en regard de la couche de dérive. Une anode recouvre la surface de la couche d'étalement en regard de la couche de dérive, et une cathode recouvre une surface du substrat en regard de la couche de dérive. Grâce à la présence de la couche d'étalement, un meilleur équilibre peut être obtenu entre la résistance à l'état passant du dispositif à semi-conducteur et le champ électrique maximal dans le dispositif, ce qui permet d'améliorer les performances dudit dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)