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1. (WO2015041153) ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/041153    International Application No.:    PCT/JP2014/074132
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 11.09.2014
IPC:
H03H 9/25 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: TSUBOKAWA, Masashi; (JP).
KIKUCHI, Taku; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2013-195513 20.09.2013 JP
Title (EN) ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is an elastic wave device in which a plating film can be reliably formed on a wiring portion connected to an IDT electrode, and in which, even when the plating film is formed by packing an electroconductive material into holes, the wiring portion is not readily altered during processing of the holes. An elastic wave device in which an IDT electrode (3) is provided on a piezoelectric substrate (2), wiring electrodes (6, 7) are provided so as to be electrically connected to the IDT electrode (3), a support material (8) is provided on the piezoelectric substrate (2) so as to cover at least a part of the wiring electrode (6, 7), through-holes (8a, 8b) exposing the upper surface of the wiring electrodes (6, 7) are provided in the support material (8), electroconductive layers (9a, 9b) are packed into the through-holes (8a, 8b), and the wiring electrodes (6, 7) have a stacked structure obtained by stacking, in sequence from the upper surface, a refractory metal film (11) having a melting point of 900ºC or above, an anti-diffusion film (12), and an Al or an Al-alloy film (13).
(FR) L'invention concerne un dispositif à onde élastique dans lequel un film de placage peut être formé de manière fiable sur une partie de câblage connectée à une électrode IDT, et dans lequel, même quand le film de placage est formé en remplissant des trous par du matériau électroconducteur, la partie de câblage n'est pas facilement altérée pendant le traitement des trous. Un dispositif à onde élastique comporte une électrode IDT (3) disposée sur un substrat piézoélectrique (2), des électrodes de câblage (6, 7) sont disposées de manière à être connectées électriquement à l'électrode IDT (3), un matériau support (8) est disposé sur le substrat piézoélectrique (2) de manière à recouvrir au moins une partie des électrodes de câblage (6, 7), des trous traversants (8a, 8b) exposant la surface supérieure des électrode de câblage (6, 7) sont effectués dans le matériau support (8), des couches électroconductrices (9a, 9b) remplissent les trous traversants (8a, 8b), et les électrodes de câblage (6, 7) possèdent une structure empilée obtenue en empilant, en séquence depuis la surface supérieure, un film métallique réfractaire (11) ayant un point de fusion de 900ºC ou plus, un film anti diffusion (12) et un film en aluminium ou en alliage d'aluminium.
(JA) IDT電極に接続される配線部分上にメッキ膜を確実に形成でき、かつメッキ膜が導電材を孔に充填することにより形成されている場合であっても、該孔の加工に際しての配線部分の変質が生じ難い、弾性波装置を提供する。 圧電基板2上にIDT電極3が設けられており、IDT電極3に電気的に接続されるように配線電極6,7が設けられており、圧電基板2上に配線電極6,7の少なくとも一部を覆うように支持材8が設けられおり、支持材8に配線電極6,7の上面を露出させる貫通孔8a,8bが設けられており、貫通孔8a,8bに導電層9a,9bが充填されており、配線電極6,7が上面から順に、融点900℃以上の高融点金属膜11、拡散防止膜12及びAlもしくはAl合金膜13を積層してなる積層構造を有する、弾性波装置。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)