WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015041023) REFLECTIVE MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, REFLECTIVE MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/041023    International Application No.:    PCT/JP2014/072689
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 29.08.2014
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 1/24 (2012.01), G03F 1/84 (2012.01)
Applicants: HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1618525 (JP)
Inventors: HAMAMOTO, Kazuhiro; (JP).
ASAKAWA, Tatsuo; (JP).
SHOKI, Tsutomu; (JP)
Agent: TSUKUNI & ASSOCIATES; Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083 (JP)
Priority Data:
2013-193070 18.09.2013 JP
Title (EN) REFLECTIVE MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, REFLECTIVE MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, MASQUE RÉFLÉCHISSANT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a reflective mask blank capable of inhibiting detection of false defects caused by the surface roughness of a substrate and/or film and facilitating discovery of foreign matter and critical defects such as flaws in defect inspection using a highly sensitive defect inspection device. A reflective mask blank having a multilayered film for a mask blank comprising an absorbent film and a multilayered reflective film having a high refractive index layer and a low refractive index layer layered in alternating fashion, on the principal surface of a substrate for a mask blank, the reflective mask blank being characterized in that relationship between the bearing area (%) and the bearing depth (nm) as obtained by measurement using an atomic force microscope of a 1 μm× 1 μm area on the surface of the reflective mask bearing blank is (BA70 - BA30)/(BD70 - BD 30) ≧ 60 (%/nm) and the maximum height (Rmax) ≦ 4.5 nm.
(FR) La présente invention concerne une ébauche de masque réfléchissant pouvant empêcher la détection de faux défauts provoqués par la rugosité de surface d'un substrat et/ou d'un film et faciliter la découverte de substance étrangère et de défauts critiques tels que des imperfections dans l'inspection de défaut à l'aide d'un dispositif d'inspection de défaut à haute sensibilité. Une ébauche de masque réfléchissant ayant un film multicouche pour un masque réfléchissant comprenant un film absorbant et un film réfléchissant multicouche ayant une couche d'indice de réfraction élevé et une couche d'indice de réfraction bas disposées en alternance, sur la surface principale d'un substrat pour une ébauche de masque, l'ébauche de masque réfléchissant étant caractérisée en ce que la relation entre la zone de support (%) et la profondeur de support (nm) obtenues par mesure à l'aide d'un microscope à forces atomiques d'une zone de 1 μm × 1 μm sur la surface de l'ébauche portant le masque réfléchissant est (BA70 - BA30)/(BD70 - BD 30) ≧ 60 (%/nm) et la hauteur maximum (Rmax) ≦ 4,5 nm.
(JA) 高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能な反射型マスクブランクを提供する。 マスクブランク用基板の主表面の上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜及び吸収体膜を含むマスクブランク用多層膜を有する反射型マスクブランクであって、前記反射型マスクブランク表面における1μm×1μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、(BA70-BA30)/(BD70-BD30)≧60(%/nm)の関係を満たし、かつ最大高さ(Rmax)≦4.5nmであることを特徴とする反射型マスクブランクである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)