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1. (WO2015040949) ALUMINA-BASED CERAMIC WIRING SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/040949    International Application No.:    PCT/JP2014/069178
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 18.07.2014
IPC:
C04B 35/111 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: MORIYA, Yoichi; (JP).
YAMAMOTO, Yuki; (JP).
SUGIMOTO, Yasutaka; (JP)
Agent: FUJII, Atsushi; (JP)
Priority Data:
2013-195864 20.09.2013 JP
Title (EN) ALUMINA-BASED CERAMIC WIRING SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE CÂBLAGE EN CÉRAMIQUE À BASE D’ALUMINE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELUI-CI
(JA) アルミナ質セラミック配線基板及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a ceramic wiring substrate which exhibits high thermal conductivity, excellent insulation properties, and prescribed thermal expansion properties, while maintaining excellent strength. [Solution] The present invention relates to an alumina-based ceramic wiring substrate which includes: a substrate main body comprising an alumina-based sintered body including a) 80-88 wt% of an Al component in terms of Al2O3, and b) 7.5-15 wt% of an Si component in terms of SiO2; and conductor wiring which is formed upon the substrate main body. The alumina-based ceramic wiring substrate is characterized in that: (1) the aforementioned sintered body includes aluminium oxide crystal particles, and silicon oxide crystal particles; (2) the average particle size of the aluminium oxide crystal particles is not more than 0.2 µm; and (3) quartz is included as the silicon oxide crystal.
(FR)[Problème] Produire un substrat de câblage en céramique qui présente une conductivité thermique élevée, d’excellentes propriétés d’isolation, et des propriétés de dilatation thermique prescrites, tout en maintenant une excellente résistance. [Solution] La présente invention concerne un substrat de câblage en céramique à base d’alumine qui comprend : un corps principal de substrat comprenant un corps fritté à base d’alumine comprenant a) 80 à 88 % en poids d’un composant de Al en termes de Al2O3, et b) 7,5 à 15 % en poids d’un composant de Si en termes de SiO2 et un câblage de conducteur qui est formé sur le corps principal de substrat. Le substrat de câblage de céramique à base d’alumine est caractérisé en ce que : (1) le corps fritté mentionné ci-dessus comprend des particules de cristal d’oxyde d’aluminium, et des particules de cristal d’oxyde de silicium ; (2) la taille de particule moyenne des particules de cristal d’oxyde d’aluminium ne dépasse pas 0,2 µm ; et (3) du quartz est inclus en tant que cristal d’oxyde de silicium.
(JA)【課題】良好な強度を維持しつつ、高い熱伝導性及び絶縁性と所定の熱膨張性とを兼ね備えたセラミック配線基板を提供する。 【解決手段】本発明は、a)Al成分をAl換算で80~88重量%及びb)Si成分をSiO換算で7.5~15重量%含むアルミナ質焼結体からなる基板本体及び前記基板本体上に形成された導体配線を含む配線基板であって、(1)前記焼結体は、酸化アルミニウム結晶粒子及び酸化ケイ素結晶粒子を含み、(2)前記酸化アルミニウム結晶粒子の平均粒径が0.2μm以下であり、 (3)前記酸化ケイ素結晶としてクォーツを含む、ことを特徴とするアルミナ質セラミック配線基板に係る。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)