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1. (WO2015040895) METHOD FOR EVALUATING INTERNAL STRESS OF SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER AND METHOD FOR PREDICTING WARPAGE IN SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/040895    International Application No.:    PCT/JP2014/064525
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 30.05.2014
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01)
Applicants: NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 7-16-3, Ginza, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Inventors: KOJIMA Kiyoshi; (JP).
NAKABAYASHI Masashi; (JP).
SHIMOMURA Kota; (JP).
NAGAHATA Yukio; (JP)
Agent: SASAKI Kazuya; 5th Floor, TKK Nishishinbashi Bldg., 11-5, Nishi-shinbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2013-195011 20.09.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR EVALUATING INTERNAL STRESS OF SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER AND METHOD FOR PREDICTING WARPAGE IN SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT D'ÉVALUER LA CONTRAINTE INTERNE D'UNE PLAQUETTE MONOCRISTALLINE DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRÉDIRE LE GAUCHISSEMENT DANS UNE PLAQUETTE MONOCRISTALLINE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶ウェハの内部応力評価方法、及び炭化珪素単結晶ウェハの反りの予測方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: a method for evaluating the internal stress of a silicon carbide (SiC) monocrystalline wafer; and a method for predicting warpage in the SiC monocrystalline wafer after being polished by evaluating the internal stress of the wafer. In this method, the wavenumber shift amount of Raman-scattered light is measured at two points within a surface of a SiC monocrystalline wafer, and internal stress is evaluated by the difference therebetween. Also disclosed is a method for predicting, in advance, warpage in a silicon carbide monocrystalline wafer produced by a sublimation-recrystallization method, wherein warpage in the SiC monocrystalline wafer is predicted by using said evaluation index.
(FR)L'invention concerne : un procédé permettant d'évaluer la contrainte interne d'une plaquette monocristalline de carbure de silicium (SiC); et un procédé permettant de prédire le gauchissement dans la plaquette monocristalline de SiC après polissage en évaluant la contrainte interne de la plaquette. Selon ce procédé, la quantité de décalage du nombre d'ondes de la lumière diffusée de Raman est mesurée en deux points dans une surface d'une plaquette monocristalline de SiC, et une contrainte interne est évaluée par la différence entre eux. L'invention concerne aussi un procédé permettant de prédire, à l'avance, un gauchissement dans une plaquette monocristalline de carbure de silicium produite par un procédé de recristallisation par sublimation, le gauchissement dans la plaquette monocristalline de SiC étant prédit au moyen dudit indice d'évaluation.
(JA) 炭化珪素(SiC)単結晶ウェハの内部応力を評価する方法、および、ウェハの内部応力を評価して、研磨完了後のSiC単結晶ウェハの反りを予測する方法を提供する。 ラマン散乱光の波数シフト量をSiC単結晶ウェハ面内の2点で測定し、その差分によって内部応力を評価する。また、昇華再結晶法によって製造された炭化珪素単結晶ウェハの反りを事前に予測する方法であって、前記の評価指標を用いてSiC単結晶ウェハの反りを予測する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)