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1. (WO2015040784) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/040784    International Application No.:    PCT/JP2014/004197
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 18.08.2014
IPC:
H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventors: HIGUCHI, Yuichi; .
ARAI, Hideyuki;
Agent: FUJII, Kentaro; (JP)
Priority Data:
2013-191515 17.09.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor device provided with: a first laminated article having a functional element, a wiring layer, and a connection layer including a junction electrode, the first laminated article being sequentially formed on a main surface of a semiconductor substrate; and a second laminated article having a functional element, a wiring layer, and a connection layer including a junction electrode, the second laminated article being sequentially formed on a main surface of the semiconductor substrate. The first laminated article and the second laminated article are joined by the junction electrodes being directly joined to each other so as to face each other, and a space section is formed at a part of the junction interface between the first laminated article and the second laminated article.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant : un premier article stratifié ayant un élément fonctionnel, une couche de câblage, et une couche de connexion comprenant une électrode de jonction, le premier article stratifié étant formé séquentiellement sur une surface principale d'un substrat semi-conducteur ; et un second article stratifié ayant un élément fonctionnel, une couche de câblage, et une couche de connexion comprenant une électrode de jonction, le second article stratifié étant formé séquentiellement sur une surface principale du substrat semi-conducteur. Le premier élément stratifié et le second élément stratifié sont reliés par liaison directe des électrodes de jonction l'une à l'autre de façon à se faire face, et une section d'espace est formée comme partie de l'interface de jonction entre le premier article stratifié et le second article stratifié.
(JA) 半導体装置は、半導体基板の主面上に順次形成され、機能素子と、配線層と、接合電極を含む接続層とを有する第1積層体と、半導体基板の主面上に順次形成され、機能素子と、配線層と、接合電極を含む接続層とを有する第2積層体とを備えている。第1積層体と第2積層体とは、接合電極と接合電極とが互いに対向して直接接合することにより接合されており、第1積層体と第2積層体との接合界面の一部には、空間部が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)