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1. (WO2015040675) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, RAIL VEHICLE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/040675    International Application No.:    PCT/JP2013/075046
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 17.09.2013
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventors: MATSUSHIMA, Hiroyuki; (JP).
MOCHIZUKI, Kazuhiro; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, RAIL VEHICLE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE, VÉHICULE SUR RAIL, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、電力変換装置、鉄道車両、および半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to improve performance of a semiconductor device by eliminating an increase of a terminal region, and improving a withstand voltage. In order to achieve the purpose, a semiconductor chip terminal structure, wherein a width of a trench on the outer side of a semiconductor chip is smaller than a width of a trench on the center side of the semiconductor chip, is formed. Furthermore, in the structure, a trench well formed at the bottom surface of the trench on the outer side has a smaller depth and a lower impurity concentration compared with a trench well formed at the bottom surface of the trench on the center side.
(FR)L'objet de la présente invention est d'améliorer la performance d'un dispositif semi-conducteur en éliminant un accroissement d'une zone de borne, et en améliorant une tension de tenue. Afin d'y parvenir, une structure de borne de puce semi-conductrice, une largeur d'une tranchée du côté extérieur d'une puce semi-conductrice étant inférieure à une largeur d'une tranchée du côté central de la puce semi-conductrice, est formée. En outre, dans la structure, un puits de tranchée formé au niveau de la surface de fond de la tranchée du côté extérieur a une profondeur inférieure et une concentration en impuretés inférieure comparée à un puits de tranchée formé au niveau de la surface de fond de la tranchée du côté central.
(JA) 終端領域の増大を防ぎ、かつ耐圧を高めることで、半導体装置の性能を向上させる。その手段として、半導体チップの終端構造において、半導体チップの中央側の溝よりも、半導体チップの外側の溝の方が溝の幅が狭い構造を形成する。また、当該中央側の溝の底面に形成されたトレンチウェルよりも、当該外側の溝の底面に形成されたトレンチウェルの方が深さが浅く、かつ不純物濃度が低い構造を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)