WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015040253) METHOD FOR PREPARING A DIELECTRIC BARRIER LAYER OF SILICON OXIDE (SIOX) AND A LAYER PREPARED IN THIS MANNER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/040253    International Application No.:    PCT/ES2014/000150
Publication Date: 26.03.2015 International Filing Date: 22.09.2014
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/0216 (2014.01), C23C 16/505 (2006.01), C23C 18/12 (2006.01)
Applicants: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES , S,A. [ES/ES]; Gampus Palmas Altas C/ Esiergia Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES)
Inventors: SÁNCHEZ MARTÍNEZ, Diego; (ES).
SÁNCHEZ CORTEZÓN, Emilio; (ES).
DELGADO SÁNCHEZ, José María; (ES).
MENÉNDEZ ESTRADA, Armando; (ES).
FERNÁNDEZ SUÁREZ, María Fe; (ES).
ANDRÉS MENÉNDEZ, Luís José; (ES).
GÓMEZ PLAZA, David; (ES).
SÁNCHEZ, Pascal; (ES)
Agent: GARCIA-CABRERIZO Y DEL SANTO, Pedro María; Vltruvio, 23 E-28008 - Madrid (ES)
Priority Data:
P201300871 23.09.2013 ES
Title (EN) METHOD FOR PREPARING A DIELECTRIC BARRIER LAYER OF SILICON OXIDE (SIOX) AND A LAYER PREPARED IN THIS MANNER
(ES) PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA BARRERA DIELECTRICA DE ÓXIDO DE SILICIO (SiOx) Y CAPA ASÍ PREPARADA
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE COUCHE BARRIÈRE DIÉLECTRIQUE EN OXYDE DE SILICIUM (SIOX) ET COUCHE AINSI PRÉPARÉE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for preparing a dielectric barrier layer of silicon oxide (SiOx) on a substrate. Once the substrate is cleaned, the method involves depositing a layer of SiOx using the PECVD technique and depositing another layer of SiOx using the sol-gel method. The coating composition (sol) used in the sol-gel stage is prepared using the following components: between 30 and 50 wt.% MTES; between 7 and 12 wt.% TEOS; between 11 and 19 wt.% N,N-DMS; between 19 and 31 wt.% PEG; between 7 and 12 wt.% distilled water; and between 0.6 and 0.9 wt.% orthophosphoric acid. Once prepared, the coating composition is deposited and densified to form the corresponding oxide layer.
(ES)Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol- gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 1 1 y 19 % en peso; PEG, entre 19 y 31 % en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9 % en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation d'une couche barrière diélectrique en oxyde de silicium (SiOx) sur un substrat, lequel procédé consiste, une fois le substrat nettoyé, à déposer une couche de SiOx par la technique de PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) et à déposer également du SiOx par un procédé sol-gel. La composition de revêtement (sol) utilisée à l'étape sol-gel est préparée à partir des composants suivants : MTES, entre 30 et 50% en poids; TEOS, entre 7% et 12% en poids; N, N' -DMS, entre 11 et 19 % en poids; PEG, entre 19 et 31 % en poids; eau distillée, entre 7 et 12% en poids, et acide orthophosphorique, entre 0,6% et 0,9 % en poids. Une fois la composition de revêtement préparée, elle est déposée et densifiée afin de former la couche d'oxyde correspondante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Spanish (ES)
Filing Language: Spanish (ES)