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1. (WO2015038992) METHOD AND APPARATUS FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF INTERNAL QUANTUM EFFICIENCY IN LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/038992 International Application No.: PCT/US2014/055537
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 13.09.2014
IPC:
G01R 31/26 (2014.01)
Applicants: KLA-TENCOR CORPORATION[US/US]; KLA-TENCOR CORPORATION Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventors: FAIFER, Vladimir N.; US
Agent: MCANDREWS, Kevin; US
Priority Data:
14/485,46812.09.2014US
61/877,94914.09.2013US
61/933,28429.01.2014US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF INTERNAL QUANTUM EFFICIENCY IN LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE MESURE SANS CONTACT DU RENDEMENT QUANTIQUE INTERNE DANS DES STRUCTURES DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES
Abstract: front page image
(EN) Non-contact measurement of one or more electrical response characteristics of a LED structure includes illuminating an illumination area of a surface of a light emitting diode structure with one or more light pulses, measuring a transient of a luminescence signal from a luminescence area within the illumination area of the light emitting diode structure with a luminescence sensor, determining a first luminescence intensity at a first time of the measured transient of the luminescence signal from the light emitting diode structure, determining a second luminescence intensity at a second time different from the first time of the measured transient of the luminescence signal from the light emitting diode structure and determining an intensity of the electroluminescence component of the luminescence signal from the light emitting diode structure based on the first luminescence signal and the second luminescence signal.
(FR) Une mesure sans contact d'une ou plusieurs caractéristiques de réponse électrique d'une structure de LED consiste à éclairer une zone d'éclairage d'une surface d'une structure de diode électroluminescente par une ou plusieurs impulsions de lumière, mesurer un transitoire d'un signal de luminescence à partir d'une zone de luminescence dans la zone d'éclairage de la structure de diode électroluminescente au moyen d'un capteur de luminescence, déterminer une première intensité de luminescence à un premier moment du transitoire mesuré du signal de luminescence provenant de la structure de diode électroluminescente, déterminer une seconde intensité de luminescence à un second moment différent du premier du transitoire mesuré du signal de luminescence provenant de la structure de diode électroluminescente et déterminer une intensité de la composante d'électroluminescence du signal de luminescence provenant de la structure de diode électroluminescente sur la base du premier signal de luminescence et du second signal de luminescence.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)